特点:o ARM® Cortex®-M4 CPU 平台o 高达150MHz 的高性能Cortex®-M4 处理器o 集成FPU 和MPUo 内存o 512KB 片上SRAMo 2KB 至512KB 可编程保持存储区o 闪存o 1MB 集成闪存o 原地执行NOR 闪存接口，在闪存中执行时接近0 等待状态o 供电和复位管理系统o 片上稳压器，支持1.7V-3.6V 输入o 上电复位（POR）o 时钟管理o 10-30MHz 晶体振荡器o 内部16MHz RCo 32kHz 晶体振荡器o 内部32kHz RCo 具有可编程输出频率的低功耗PLLo 通用DMA：具有硬件流控制的8 通道DMA 控制器o 安全o 使用TRNG（真随机数发生器）的简单加密引擎o 定时器/计数器o 1x 系统节拍定时器o 4x 32 位定时器o 1x 看门狗定时器o 功耗（待确认）o 满载：待定uA/MHz @ 25°Co 运行：待定uA /MHz @ 25°Co 停止：待定@ 25°Co 保留：待定@ 25°C，32kB 保留存储器o 待机：待定@ 25°C，内部32kHz RCo 12 位逐次逼近寄存器（SAR）ADCo 每秒最多2M 样本o 可通过8:1 多路复用器选择输入o 1 个带有集成PHY 的USB 2.0 高速双角色端口o 两个SD / SDIO 主机接口o SD/SDIO 2.0 模式：时钟高达50MHzo LCD 控制器o 分辨率高达480x320o 6800 和8080 异步模式（8 位）o JTAG 调试功能o 3 个PWM（6 个输出），3 个捕捉和3 个QEP 模块o 4x UART，带有HW 流控制，最高可达4Mbpso 3x I2C，支持Fast Mode+（1000kbps）o 2x I2S 接口o 3x SPI 主器件高达25MHz，1x SPI 从器件高达10MHzo 32 个GPIOo 68 引脚QFN 封装o 温度范围：-40 至85°C4.1 带FPU 内核的ARM®CORTEX®-M4带有FPU 处理器的ARM®Cortex®-M4 是一款32 位RISC 处理器，具有出色的代码和功率效率。它支持一组DSP 指令，以允许高效执行信号处理算法，非常适合于可穿戴和其他嵌入式市场。集成的单精度FPU（浮点单元）便于重用第三方库，从而缩短开发时间。内部内存保护单元（MPU）用于管理对内的访问，以防止一个任务意外破坏另一个活动任务使用的内存。集成紧密耦合的嵌套向量中断控制器，提供多达16 个优先级。4.2 系统内存Bock 包含512kB 零等待状态SRAM，非常适合于当今算法日益增长的需求。同时，内存被细分为更小的区，从而可以单独地关闭以降低功耗。4.3 闪存和XIP 单元提供1MB 的集成NOR 闪存，以支持CPU 直接执行。为了提高性能，XIP 单元具有集成的缓存系统。缓冲内存与系统内存共享。与从系统内存运行性能相比，XIP 单元使得许多应用程序的运行接近100％。4.4 ROM集成ROM 固件包含通过NOR 闪存正常引导所需的引导加载程序，支持用于批量生产的闪存编程，还包括用于调试目的的UART 和USB 启动功能。
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上传时间： 2022-06-06
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PCF8591 8位A/D和D/A转换1、特性：单电源供电。工作电压： 2.5 V ~ 6V。待机电流低。I2C 总线串行输入/输出。通过3 个硬件地址引脚编址。采样速率取决于I2C 总线速度。4个模拟输入可编程为单端或差分输入。自动增量通道选择。模拟电压范围： VSS~VDD。片上跟踪与保持电路。8 位逐次逼近式A/D 转换。带一个模拟输出的乘法DAC。2、应用：闭环控制系统。用于远程数据采集的低功耗转换器。电池供电设备。在汽车、音响和TV 应用方面的模拟数据采集。3、概述：PCF8591 是单片、单电源低功耗8 位CMOS 数据采集器件， 具有4 个模拟输入、一个输出和一个串行I2C 总线接口。3 个地址引脚A0、A1 和A2 用于编程硬件地址，允许将最多8 个器件连接至I2C总线而不需要额外硬件。器件的地址、控制和数据通过两线双向I2C 总线传输。器件功能包括多路复用模拟输入、片上跟踪和保持功能、8 位模数转换和8 位数模拟转换。最大转换速率取决于I2C 总线的最高速率。I2C 总线系统中的每一片PCF8591 通过发送有效地址到该器件来激活。该地址包括固定部分和可编程部分。可编程部分必须根据地址引脚A0、A1 和A2 来设置。在I2C 总线协议中地址必须是起始条件后作为第一个字节发送。地址字节的最后一位是用于设置以后数据传输方向的读/写位。（见图4、16、17）
上传时间： 2022-06-17
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测量电路及仪器出版时间：2014年版内容简介 本书以现代精密电子仪器综合实践为应用背景，是模拟电子技术和单片机技术相结合的新型实验类教材。本书通过大量且多层次的实验项目，由浅入深、循序渐进地介绍精密测控电路设计，以及精密仪器系统综合应用设计的流程、方法和开发技能，并介绍针对精密仪器的综合设计性实验项目。全书共10章，主要内容包括：绪论、集成运算放大器基础、滤波器、模拟多路开关、集成基准电压源、数模转换器、模数转换器、信号波形发生器、精密仪器抗干扰技术和典型仪器电路分析等。本书提供配套电子课件和习题参考答案等。
上传时间： 2022-06-20
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现代雷达系统日益复杂，在设计、调试雷达系统的过程中，不可避免的需要雷达的回波信号，为了提高雷达设计效率，人们逐渐开始对雷达回波信号模拟技术进行研究，以求用模拟产生的信号代替实际的雷达回波信号，把雷达系统设计和维护过程中所需的费用降到最低。现在，雷达信号模拟技术逐步取得发展，成为雷达技术的一个重要分支，而雷达信号模拟器的研制成为国内外军事研究领域的热门方向.所有无线电系统中都会包含射频前端，射频前端的主要作用是将基带信号经过调制、上混频、放大后送至天线发射，或是将天线接收到的信号放大、下混频、解调，最后输出基带信号.本课题正是对某机载相控阵雷达目标模拟器射频前端的研究。该射频前端系统包括两个部分：发射机通道和射频功率合成网络，发射机通道由三条杂波信号通道和一条目标信号通道组成，每条通道相当于一台射频发射机.在发射机通道中首先对基带1、Q信号进行调制，然后两次上混频使输出信号到达x波段。射频功率合成网络主要的功能是使用功分器将目标信号一分为四，利用数控衰减器对四路目标信号进行方向图增益调制，调制后其中一路信号送至天线系统，另外三路分别与三路杂波信号功率合成，最后输出至雷达，该项目中笔者主要负责对整体方案和指标的论证，多路信号幅相平衡度的调整，x波段0/i移相器的设计与实现，整机的功能指标测试，与其它分机联调等工作.本文首先介绍了该机载相控阵雷达目标模拟器的整体方案，然后对无线发射机系统进行了分析，接下来对射频前端方案进行论证，之后详述了多路信号幅相校正的方法与0/n移相器的研制，给出了射频前端系统的测试结果.
标签： 雷达
上传时间： 2022-06-20
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这是STM32F1开发指南(精英版)-寄存器版本开发手册，主要用于正点原子的精英开发板的学习和研究。 本手册将结合《STM32 参考手册》和《Cortex-M3 权威指南》两者的优点，并从寄存器级 别出发，深入浅出，向读者展示 STM32 的各种功能。总共配有 38 个实例，基本上每个实例在 均配有软硬件设计，在介绍完软硬件之后，马上附上实例代码，并带有详细注释及说明，让读者快速理解代码。STM32 拥有非常多的寄存器，其中断管理更是复杂，对于新手来说，看ST 提供的库函数 虽然可以很好的使用，但是没法深入理解，一旦出错，查问题就非常痛苦了。另外，库函数在效率和代码量上面都是不如直接操作寄存器的。 这些实例涵盖了 STM32 的绝大部分内部资源，并且提供很多实用级别的程序，如：内存 管理、文件系统读写、图片解码、IAP 等。所有实例在 MDK5.10 编译器下编译通过，大家只需 下载程序到 ALIENTEK MiniSTM32 开发板，即可验证实验。 不管你是一个 STM32 初学者，还是一个老手，本手册都非常适合。尤其对于初学者，本 手册将手把手的教你如何使用 MDK，包括新建工程、编译、仿真、下载调试等一系列步骤， 让你轻松上手。本手册不适用于想通过库函数学习 STM32 的读者，因为本手册的绝大部分内 容都是直接操作 STM32 寄存器的。 本手册的实验平台是 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 开发板，有这款开发板的朋友则直接可 以拿本手册配套的光盘上的例程在开发板上运行、验证。而没有这款开发板而又想要的朋友， 可以上淘宝购买。当然你如果有了一款自己的开发板，而又不想再买，也是可以的，只要你的 板子上有 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 开发板上的相同资源（需要实验用到的），代码一般都 是可以通用的，你需要做的就只是把底层的驱动函数（一般是 IO 操作）稍做修改，使之适合 你的开发板即可
上传时间： 2022-06-21
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本书中，系统地介绍了现代电力电子变换装置及其PWM控制策略，具有内容系统全面、范例丰富详尽、原理深入浅出、理论与实际紧密结合等特点。第1～9章主要关注脉宽调制技术；第10～16章主要关注电流控制技术。其中，第1章和第2章讲述两种基本的PWM控制策略；第3章介绍PWM控制中的三相逆变器的过调制问题；第4～6章是对不同PWM控制方法的详细介绍；第7章介绍了PWM控制中的电磁干扰问题；第8章和第9章讲述了多重与多相功率变换器的PWM控制策略；第10～15章分别以同步电机和直流电源为例详细介绍了各种不同的电流控制方法；第16章介绍了多电平变换器的电流控制方法。 译者序 引言 第1章用于两电平三相电压型逆变器的载波脉宽调制1 11引言1 12参考电压va ref、vb ref、vc ref3 13参考电压Pa ref、Pb ref、Pc ref6 14va、vb、vc与Pa、Pb、Pc之间的联系8 15PWM信号的产生8 151反锯齿波8 152传统锯齿形载波11 153三角形载波12 154说明16
上传时间： 2022-06-23
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近年来，随着电子技术的快速发展，使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率，但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式，在低压、大电流输出的电路中，应用传统二极管整流的电路，其整流的损耗比较大，工作效率比较低。一般普通二极管的压降为1.0-1.3V，即便应用压降较低的肖特基二极管（SBD），产生压降一般也要有0.5V左右，从而使整流的损耗增加，电源的工作效率降低，己经不能满足现代开关电源高性能的需求。因此，应用同步整流（SR）技术可达到此要求，即应用功率MOS管代替传统的二极管整流。由于功率MOS管具有导通电阻很低、开关时间较短、输入阻抗很高的特点，很大程度的减少了开关功率MOS管整流时的损耗，使得工作效率有一个显著提高，因此功率MOS管以成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。要想得到经济、高效的变换器，同步整流技术与反激变换器电路结合将会是一个很好的选择。反激变换器拓扑电路的优点是电路结构简单、输入与输出电气隔离、输入、输出工作电压范围较宽，可以实现多路的输出，因而在高电压、低电流的场合应用广泛，特别是在5~200W电源中一般采用反激变换器。
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-25
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SERDES是英文SERializer(串行器)/DESerializer(解串器)的简称。它是一种时分多路复用(TDM)、点对点的通信技术，即在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号，经过传输媒体(光缆或铜线)，最后在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号。这种点对点的串行通信技术充分利用传输媒体的信道容量，减少所需的传输信道和器件引脚数目，从而大大降低通信成本。随着对信息流量需求的不断增长，传统并行接口技术成为进一步提高数据传输速率的瓶颈。过去主要用于光纤通信的串行通信技术——SERDES正在取代传统并行总线而成为高速接口技术的主流。本文阐述了介绍SERDES的架构、关键技术、SERDES硬件设计要点以及测试方法。
上传时间： 2022-06-30
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HC32F003 系列 / HC32F005 系列是 Low Pin Count、宽电压工作范围的 MCU。集成 12 位 1MSPS 高精度 SARADC 以及集成了比较器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil &IAR 调试开发软件，支持 C 语言及汇编语言，汇编指令。Low Pin Count MCU 典型应用⚫ 小家电，充电器，重合闸，遥控器，电子烟，燃气报警器，数显表，温控器，记录仪等行业⚫ 智能交通，智慧城市，智能家居⚫ 火警探头，智能门锁，无线监控等智能传感器应用⚫ 电机驱动
标签： MCU
上传时间： 2022-07-01
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q76925是一款适用于3～6节串联电池应用的专用模拟前端(A FE)，其所提供的3个模拟输出可帮助微控制器轻松监控电池电压、电流以及温度。电池电压可针对V。。。，引脚进行电平转换、缩放和多路复用。电池电流可通过与电池组串联的传感电阻器进行监控。传感电阻器的电压可放大驱动至V。。。，引脚。VTB引脚可提供开关偏置，用于激励支持温度测量的热敏电阻器网络。bq76925提供一个为MSP430G2xx2供电的3．3V稳压输出，以及一个支持MSP430G2xx2模数转换器(AD C)的精确3．3V参考电压。此外，AFE还包含由MSP430G2xx2控制的集成型电池平衡FET。最后，AFE的板载比较器还可向MSP430G2xx2发送过流情况信息，能实现快速故障响应
标签： 电池管理系统
上传时间： 2022-07-08
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