一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变...
DETSC/0.4系列可控硅无功补偿装置是一种动态跟踪补偿的新型电子式无触点可控硅电容投切装置,利用大功率晶闸管组成低压双向可控硅交流无触点开关,可实现对多级电容器组的快速过零投切。在TSC装置电容器支路中串联适当的电感,可有效防止谐波放大、吸收部分谐波电流,起到谐波抑制的作用。同时该系列装置采用三...
为了提高稀土超磁致伸缩换能器驱动电源的效率以及实用性,采用DSP器件TMS320F2812作为主控芯片,结合混合脉宽调制方法实现SPWM波形。采用半桥型逆变电路实现SPWM的功率放大,并对隔离驱动电路、反馈电路和滤波匹配电路进行合理而有效的设计,保证了换能器的输出效能。同时使用电流控制频率的方法实现...
介绍了一种基于Cortex-M3(STM32F103C8)芯片的高速度、低功耗、多功能数字可调共振源,以及系统的CPU部分、信号发生、滤波及放大部分及相应的软件设计。 ...
介绍了一款输入级采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的额定输出功率为, 如果提高输出级电源电压, 还可在不变动电路条件下, 把输出功率提高到, 可以满足一些对功率要求比较高的发烧友需要。...