20世纪90年代中期，因使用ASIC实现芯片组受到启发，萌生应该将完整计算机所有不同的功能块一 次直接集成于一颗硅片上的想法。这种芯片，初始起名叫System on a Chip(SoC)，直译的中文名是 系统级芯片
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上传时间： 2014-12-20
上传用户：牛布牛
： 通过 L V D S ( 低压差分信号) 传输方案与单个 L C o S ( 硅基液晶) 分时分色显示， 设计主电路 与头盔结构分离的单 L C o S 硅片彩色头盔显示系统。
上传时间： 2013-12-03
上传用户：ommshaggar
随着计算机信息表示及实现的多媒体化，在许多学习软件、游戏软件，以及多媒体课件制作软件中，经常使用各种图形显示技巧，如图形的推拉、交错、雨滴状、百页窗、积木随机堆叠等显示模式。这样使画面变得更为生动活泼，更能吸引用户，也为更好地发挥软件的功能奠定了基础。本文就Visual C++ 6.0中实现图形的各种显示技巧的原理及具体方法做些探讨。
上传时间： 2016-12-26
上传用户：kytqcool
本文件的目的是定义在OS抽象层（OSAL）的API。这个API允许的TI堆叠产品的软件组件 ，例如Z-堆栈™，的RemoTI™和BLE，可以独立于操作系统的具体的书面，内核或任务环境（包括控 制回路或连接-于─中断系统）
上传时间： 2017-02-17
上传用户：lonerxin
芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集：300mm硅单晶及抛光片标准.pdf6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf666化学机械抛光技术的研究进展.pdf化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc半导体-第十四讲-CMP.ppt半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf半导体工艺.ppt半导体工艺化学.ppt抛光技术及抛光液.docx直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
上传时间： 2021-11-02
上传用户：wangshoupeng199
索尼最小CMOS图像传感器IMX415 日本东京索尼公司今年发布一款新型CMOS影像传感器：IMX415，1/2.8 英寸堆叠式4K CMOS影像传感器，刷新全球同类产品的小尺寸纪录； 针对日益扩大的智慧城市相关的市场需求，索尼特别开发了这款新型的应用于安防摄像机的传感器，以满足安防摄像机在防盗、灾难警报、交通监测系统或商业综合体等多种监控应用领域的快速增长需求。目前，在各种场合安装安防摄像机的需求正日益增多，而对于可以安装在任何地方、具有更高图像识别和检测性能的紧凑型安防摄像机的需求也比以往任何时候都要大。未来，用于异常检测和人工智能行为分析的图像识别摄像机的需求也将显著增长。 为了满足这一需求，索尼推出了一系列紧凑型4K CMOS影像传感器，能够同时提供卓越的图像识别和检测性能，以及出色的低光性能表现——这是传统技术难以实现的。索尼丰富的传感器产品线，让人们在多种场景下都能获取高质量图像，从而扩大了安防摄像机的应用范围。IMX415堆叠式CMOS影像传感器采用了索尼独有的高灵敏度，低噪点技术，将像素尺寸缩至1.45平方微米,比前代产品*3缩小约80%，尽管该传感器只有1/2.8英寸，其低光性能却是前代产品的1.5倍*3。缔造出破纪录的 1/2.8英寸堆叠式4K CMOS影像传感器，并具备卓越的低光性能。该传感器采用低噪点电路堆叠式结构，即使在黑暗环境下也可以捕捉到清晰的图像。由于它尺寸小，可适用于多种场景，在安防摄像机应用方面需求量很高。
上传时间： 2021-12-13
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华为5G模块 MH5000-31 PCB设计指导PCB 设计PCB 堆叠射频信号USB 信号PCIE信号RGMII 信号UART、JTAG、PCM等低速数字信号ESD 要求SIM 卡接口电源设计GND设计
上传时间： 2022-05-04
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一、 实验目的使用 51单片机的八位数码管顺序显示自己的学号。掌握 C 语言、汇编语言两种编程单片机控制程序的方法。掌握使用 Keil 4 或 Keil 5 软件编写、编译、调试程序的方法。掌握使用 Proteus 软件绘制电路原理图、硬件仿真和程序调试。二、实验设备笔记本电脑51 单片机（普中科技）八位数码管（单片机上已集成）应用程序：Proteus 8.0、Keil uVision5、stc-isp-v6.88E三、实验原理（1）数码管数码管按段数可分为七段数码管和 8 段数码管，八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元，也就是多一个小数点(DP)，这个小数点可以更精确的表示数码管想要显示的内容。按能显示多少个(8)，可分为 1 位、2位、3位、4位、5 位、6位、7 位等数码管。按发光二极管单元连接方式可分为共阳极数码管和共阴极数码管。共阳数码管是指将所有发光二极管的阳极接到一起形成公共阳极(COM)的数码管，共阳数码管在应用时将公共极 COM 接到+5V，当某一字段发光二极管的阴极为低电平时，相应字段就点亮，当某一字段的阴极为高电平时，相应字段就不亮。共阴数码管是指将所有发光二极管的阴极接到一起形成公共阴极(COM)的数码管，共阴数码管在应用时应将公共极 COM 接到地线 GND上，当某一字段发光二极管的阳极为高电平时，相应字段就点亮，当某一字段的阳极为低电平时，相应字段就不亮。（2）51单片机单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器 CPU、随机存储器 RAM、只读存储器ROM、多种 I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。MSC-51 单片机指以 8051为核心的单片机，由美国的 Intel 公司在 1980 年推出，80C51 是 MCS-51系列中的一个典型品种；其它厂商以 8051为基核开发出的CMOS 工艺单片机产品统称为 80C51 系列。本实验中我使用普中科技的 51 单片机来点亮八位数码管并使其显示我的学号（20198043）。四、 实验 过程（1）熟悉数码管使用 Proteus 软件构建电路图，学会如何点亮数码管，熟悉如何使数码管显示不同的数字（0-9）。我们可以按照上面的原理图让对应的段导通，以显示数字。对于共阳数码管，若显示数字 0，可以让标号为 A，B，C，D，E，F 的段导通，标号为 G，H 的段不导通，然后将阳极通入高电压，即显示数字 0。代码举例如下：最后效果如下，成功点亮一个数码管。经过更多尝试和学习，学会使多位数码管显示多位数字。结果举例如下：（2）多位数码管显示学号为了显示我们学号，就不能只使用一位数码管，需要使用八位数码管，相较于单位数码管，多位数码管更加复杂，驱动函数有很大区别。多位数码管使用同一组段选，不同的位选，因此就不能够一对一地固定显示，这就需要动态扫描。动态扫描：利用人眼视觉暂留，多位数码管每次只显示一位数字，但是切换频率大于 200HZ（50 × 4），这样就能让人产生同时显示多个数字的错觉。具体操作是轮流向数码管送字形码和相应的位选。一个完整的驱动程序不只以上这些，一个完整的数码管驱动有 6部分：1. 码表（ROM）：存储段码（一般放在 ROM中，节省 RAM空间），例如数字 0的段码就是 0xC0，码表则包含 0-9的段码2. 显存（RAM）：保存要显示的数字，取连续地址（便于查表）3. 段选赋值：通过查表（码表）操作，将显存映射到段码4. 位选切换：切换显示的位置5. 延时：显示的数字短暂保持，提升亮度6. 消影：消除切换时不同位置互相影响而产生的残影
上传时间： 2022-06-08
上传用户：canderile
三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGBT相比，降低了集电极一发射极间饱和电压，从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术，大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版，旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理，更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点：1，采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构（CSTBT）改善了关断损耗（Eoff）和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞（PCM）的使用增强了短路承受能力（SCSOA）并降低了栅极电容，从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂
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上传时间： 2022-06-19
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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