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资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【1】标准规范（国标、行标、安规、规范）->【行标】->JBT 9165.1-1998 工艺文件完整性 296页 11.0M.pdf
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源...
< 电子工艺学>>PPT 文件,是北大出版社出版的,电子工艺的知识比较全面.
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