555时基电路的分析和应用
上传时间： 2013-11-22
上传用户：541657925
VC++6.0行号显示工具带使用说明LineNumberAddin
标签： LineNumberAddin 6.0 VC 使用说明
上传时间： 2013-11-07
上传用户：ysystc699
这个文件只是汉化了PROTEL99SE的菜单文件带英文的，比较适合初学者，把它解压放在系统盘WINDOWS目录下，注意要先关掉PROTEL99SE软件，再覆盖掉原文件，网上也有很多汉化菜单的文件，但功能都不齐全，这个是本人自己修改过来的，包括板层设置，材料清单等功能都很齐全，和大家分享！
上传时间： 2013-10-18
上传用户：woshiayin
为满足对弹载雷达回波信号、图像及遥测数据的高速、高容量、远距离、低功耗、高可靠性等特点的要求。地面测试台采用LVDS接口，运用FPGA对雷达获取信号数据进行处理与存储，通过USB接口将数据上传到计算机实现数据分析与实验。实验结果表明，该方案的传输速率600 MBps，很好的满足了对雷达获取信号的数据发送和接收的速度要求。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：小码农lz
HDB3(High Density Bipolar三阶高密度双极性)码是在AMI码的基础上改进的一种双极性归零码，它除具有AMI码功率谱中无直流分量，可进行差错自检等优点外，还克服了AMI码当信息中出现连“0”码时定时提取困难的缺点，而且HDB3码频谱能量主要集中在基波频率以下，占用频带较窄，是ITU-TG.703推荐的PCM基群、二次群和三次群的数字传输接口码型,因此HDB3码的编解码就显得极为重要了[1]。目前，HDB3码主要由专用集成电路及相应匹配的外围中小规模集成芯片来实现，但集成程度不高，特别是位同步提取非常复杂，不易实现。随着可编程器件的发展，这一难题得到了很好地解决。
上传时间： 2013-11-01
上传用户：lindor
本资料是关于Nexys3板卡的培训资料。Nexys 开发板是基于最新技术Spartan-6 FPGA的数字系统开发平台。它拥有48M字节的外部存储器（包括2个非易失性的相变存储器），以及丰富的I/O器件和接口，可以适用于各式各样的数字系统。 板上自带AdeptTM高速USB2接口可以为开发板提供电源，也可以烧录程序到FPGA，用户数据的传输速率可以达到38M字节/秒。 Nexys3开发板可以通过添加一些低成本的外设Pmods （可以多达30几个）和Vmods （最新型外设）来实现额外的功能，例如A/D和D/A转换器，线路板，电机驱动装置，和实现装置等等。另外，Nexys3完全兼容所有的赛灵思工具，包括免费的WebPackTM，ChipscopeTM，EDKTM（嵌入式处理器设计套件），以及其他工具。 图 Nexys3板卡介绍
上传时间： 2013-10-24
上传用户：caiqinlin
为解决目前高速信号处理中的数据传输速度瓶颈以及传输距离的问题，设计并实现了一种基于FPGA 的高速数据传输系统，本系统借助Altera Cyclone III FPGA 的LVDS I/O 通道产生LVDS 信号，稳定地完成了数据的高速、远距离传输。系统所需的8B/10B 编解码、数据时钟恢复(CDR)、串/并行转换电路、误码率计算模块均在FPGA 内利用VHDL 语言设计实现，大大降低了系统互联的复杂度和成本，提高了系统集成度和稳定性。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：爺的气质
摘 要:介绍了FPGA最新一代器件Virtex25上的高速串行收发器RocketIO。基于ML505开发平台构建了一个高速串行数据传输系统,重点说明了该系统采用RocketIO实现1. 25Gbp s高速串行传输的设计方案。实现并验证了采用FPGA完成千兆串行传输的功能目标,为后续采用FPGA实现各种高速协议奠定了良好的基础。关键词: FPGA;高速串行传输; RocketIO; GTP 在数字系统互连设计中,高速串行I/O技术取代传统的并行I/O技术成为当前发展的趋势。与传统并行I/O技术相比,串行方案提供了更大的带宽、更远的距离、更低的成本和更高的扩展能力,克服了并行I/O设计存在的缺陷。在实际设计应用中,采用现场可编程门阵列( FPGA)实现高速串行接口是一种性价比较高的技术途径。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：semi1981
第一章 传输线理论一 传输线原理二 微带传输线三 微带传输线之不连续分析第二章 被动组件之电感设计与分析一 电感原理二 电感结构与分析三 电感设计与模拟四 电感分析与量测传输线理论与传统电路学之最大不同，主要在于组件之尺寸与传导电波之波长的比值。当组件尺寸远小于传输线之电波波长时，传统的电路学理论才可以使用，一般以传输波长（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）为最大尺寸，称为集总组件（Lumped elements）；反之，若组件的尺寸接近传输波长，由于组件上不同位置之电压或电流的大小与相位均可能不相同，因而称为散布式组件（Distributed elements）。 由于通讯应用的频率越来越高，相对的传输波长也越来越小，要使电路之设计完全由集总组件所构成变得越来越难以实现，因此，运用散布式组件设计电路也成为无法避免的选择。 当然，科技的进步已经使得集总组件的制作变得越来越小，例如运用半导体制程、高介电材质之低温共烧陶瓷（LTCC）、微机电（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技术制作集总组件，然而，其中电路之分析与设计能不乏运用到散布式传输线的理论，如微带线（Microstrip Lines）、夹心带线（Strip Lines）等的理论。因此，本章以讨论散布式传输线的理论开始，进而以微带传输线为例介绍其理论与公式，并讨论微带传输线之各种不连续之电路，以作为后续章节之被动组件的运用。
标签： 传输线
上传时间： 2013-11-10
上传用户：潇湘书客
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
