施敏英文版半导体器件物理，带有目录，可以方便跳转。
标签： 半导体器件
上传时间： 2022-05-14
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基于CPLD器件的线型CCD东芝TCD1501的驱动程序，用verilog语言开发。
上传时间： 2022-05-16
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Cyclone IV 器件手册 中文版。Cyclone IV 器件手册 中文版
标签： Cyclone IV
上传时间： 2022-05-28
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功率器件领域的经典著作，值得品读和学习，紧跟时代Fundamentals of Power Semiconductor Devices
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2022-06-17
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清华大学半导体物理和器件课件资源，邓宁课件。
标签： 半导体物理与器件
上传时间： 2022-06-17
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1.Spartan-6 系列封装概述Spartan-6 系列具有低成本、省空间的封装形式，能使用户引脚密度最大化。所有Spartan-6 LX 器件之间的引脚分配是兼容的，所有Spartan-6 LXT器件之间的引脚分配是兼容的，但是Spartan-6 LX和Spartan-6 LXT器件之间的引脚分配是不兼容的。表格1 Spartan-6 系列FPGA封装2.Spartan-6 系列引脚分配及功能详述Spartan-6 系列有自己的专用引脚，这些引脚是不能作为Select IO 使用的，这些专用引脚包括：专用配置引脚，表格2 所示GTP高速串行收发器引脚，表格3 所示表格2 Spartan-6 FPGA专用配置引脚注意：只有LX75, LX75T, LX100, LX100T, LX150, and LX150T器件才有VFS、VBATT、RFUSE引脚。表格3 Spartan-6 器件GTP通道数目注意：LX75T 在FG(G)484 和CS(G)484 中封装4 个GTP通道，而在FG(G)676中封装了8 个GTP通道；LX100T在FG(G)484 和CS(G)484 中封装4个GTP通道，而在FG(G)676 和FG(G)900中封装了8 个GTP通道。如表4，每一种型号、每一种封装的器件的可用IO 引脚数目不尽相同，例如对于LX4TQG144器件，它总共有引脚144 个，其中可作为单端IO 引脚使用的IO 个数为102 个，这102 个单端引脚可作为51 对差分IO 使用，另外的32 个引脚为电源或特殊功能如配置引脚。表格4 Spartan6 系列各型号封装可用的IO 资源汇总表格5 引脚功能详述
标签： spartan-6
上传时间： 2022-06-18
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人工电磁材料由于其特殊的电磁特性，一直是近几年的研究热点。美国Science杂志更将这种材料评为2003年世界十大突破之一。随着科技和生产技术的提高，电磁材料被应用于各式各样的电磁器件当中，推动了电磁器件的发展。本文主要运用现有的有限元仿真软件Comsol，成功设计和仿真了多种电磁器件，讨论了电磁材料的电磁特性参数对其性能的影响，并论证了所设计出的电磁器件的有效性和正确性。论文主要内容有以下五部分：首先，对整体的坐标变换理论进行概括，大致介绍了几种能够获取某些电磁材料的坐标变换的方法。随后介绍了Comsol仿真软件优势，及其在电磁器件上的应用。接着，根据不同的坐标变换理论，设计并仿真出了各类电磁器件：包括在一般直角坐标系下的波束分束器，在折叠变换下的外斗篷电磁隐身，和在共形变换下的共形透镜。论述了这些器件的应用价值。最后，根据倏逝波和金属表面的等离子共振效应，设计出了镀金膜锥形光纤传感，对其传感性能进行研究，为设计高灵敏度传感器提供了理论依据。关键词：电磁材料：Comsol：坐标变换；电磁器件区J
上传时间： 2022-06-19
上传用户：zhaiyawei
艾默生所用的器件应力降额总规范
标签： 器件应力
上传时间： 2022-06-19
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本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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