自己实际使用的DXP16版本的3D模型库，包含基本的芯片封装，电阻，电容，电感，各种Interface等模块。
上传时间： 2022-07-16
上传用户：1208020161
本文对基于FPGA的对象存储控制器原型的硬件设计进行了研究。主要内容如下： ⑴研究了对象存储控制器的硬件设计，使其高效完成对象级接口的智能化管理和复杂存储协议的解析，对对象存储系统整体性能提升有重要意义。基于SoPC(片上可编程系统)技术，在FPGA(现场可编程门阵列)上实现的对象存储控制器，具有功能配置灵活，调试方便，成本较低等优点。 ⑵采用Cyclone II器件实现的对象存储控制器的网络接口，包含处理器模块、内存模块、Flash模块等核心组成部分，提供千兆以太网的网络接口和PCI(周边元件扩展接口)总线的主机接口，还具备电源模块、时钟模块等以保证系统正常运行。在设计实现PCB(印制电路板)时，从叠层设计、布局、布线、阻抗匹配等多方面解决高达100MHz的全局时钟带来的信号完整性问题，并基于IBIS模型进行了信号完整性分析及仿真。针对各功能模块提出了相应的调试策略，并完成了部分模块的调试工作。 ⑶提出了基于Virtex-4的对象存储控制器系统设计方案，Virtex-4内嵌PowerPC高性能处理器，可更好地完成对象存储设备相关的控制和管理工作。实现了丰富的接口设计，包括千兆以太网、光纤通道、SATA(串行高级技术附件)等网络存储接口以及较PCI性能更优异的PCI-X(并连的PCI总线)主机接口；提供多种FPGA配置方式。使用Cadence公司的Capture CIS工具完成了该系统硬件的原理图绘制，通过了设计规则检查，生成了网表用作下一步设计工作的交付文件。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：lijinchuan
近年来提出的光突发交换OBS(Optical．Burst Switching)技术，结合了光路交换(OCS)与光分组交换(OPS)的优点，有效支持高突发、高速率的多种业务，成为目前研究的热点和前沿。 本论文围绕国家“863”计划资助课题“光突发交换关键技术和试验系统”，主要涉及两个方面：LOBS边缘节点核心板和光板FPGA的实现方案，重点关注于边缘节点核心板突发包组装算法。 本文第一章首先介绍LOBS网络的背景、架构，分析了LOBS网络的关键技术，然后介绍了本论文后续章节研究的主要内容。 第二章介绍了LOBS边缘节点的总体结构，主要由核心板和光板组成。核心板包括千兆以太网物理层接入芯片，突发包组装FPGA，突发包调度FPGA，SDRAM以及背板驱动芯片($2064)等硬件模块。光板包括$2064，发射FPGA，接收FPGA，光发射机，光接收机，CDR等硬件模块。论文对这些软硬件资源进行了详细介绍，重点关注于各FPGA与其余硬件资源的接口。 第三章阐明了LOBS边缘节点FPGA的具体实现方法，分为核心板突发包组装FPGA和光板FPGA两部分。核心板FPGA对数据和描述信息分别存储，仅对描述信息进行处理，提高了组装效率。在维护突发包信息时，实时查询和更新FEC配置表，保证了对FEE状态表维护的灵活性。在读写SDRAM时都采用整页突发读写模式，对MAC帧整帧一次性写入，读取时采用超前预读模式，对SDRAM内存的使用采取即时申请方式，十分灵活高效。光板FPGA分为发射和接收两个方向，主要是将进入FPGA的数据进行同步后按照指定的格式发送。 第四章总结了论文的主要内容，并对LOBS技术进行展望。本论文组帧算法采用动态组装参数表的方法，可以充分支持各种扩展，包括自适应动态组装算法。
上传时间： 2013-05-26
上传用户：AbuGe
分析了大功率逆变电源IGBT关断时产生电压尖峰的机理,并对影响电压尖峰的主要因素进行了分 析。通过应用叠层复合母排可以降低主电路母线的分布电感,设计合理的吸收电路能够改善开关器件的开关轨迹, 抑制尖峰电压,使开关器件运行在可靠的工作范围内。仿真结果验证了吸收电路的有效性。
上传时间： 2013-05-25
上传用户：pwcsoft
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大 2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性 3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性 4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性 5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计 6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性 7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源 8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
上传时间： 2013-04-24
上传用户：hull021
特点： 精确度0.1%满刻度 可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT类比输出功能 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟(input/output/power) 宽范围交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ydd3625
如题
上传时间： 2013-10-08
上传用户：netwolf
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
特点(FEATURES) 精确度0.1%满刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式数学演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 类比输出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 输入/输出1/输出2绝缘耐压2仟伏特/1分钟(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 宽范围交直流两用电源设计(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,稳定性高(Dimension small and High stability)
上传时间： 2013-11-24
上传用户：541657925
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
