MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
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查看全部32648个资源 »变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断
本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGB...
多绕组移相整流变压器的设计研究
由于多绕组移相整流变压器的二次线圈互相存在一个相位差，实现了输入多重化，由此可以消除变频器各单元产生的谐波对电网的污染，是高压变频器成为“绿色”电力电子产品的重要组成部分。本文以高压变频器中多绕组移相整流变压器为主要研究对象，进入了深入的研究，主要包括以下几方面：1、对移相整流变压器的研究现状和发展...
FOC死区补偿实现
目前，小功率通用或专用变频器以及交流变频家电产品大多采用典型的交-直-交电压型逆变器（vsi）结构，逆变实现一般采用双极性 pwm调制技术，即在同一逆变桥臂上、下 2个开关管施加互补的触发信号。由于开关管自身的特性：开通和关断都需要一定的时间，且关断时间比开通时间要长。因此，若按照理想的触发信号控制...
ABB ACS880 基本控制程序固件手册
ABB ACS880变频器使用手册，功能强大，资料齐全...
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