在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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变频,vf200,手册,单相200V输入型项目规格标准适用电机输出(kW)0.2～2.2kW额定输出额定电压单相200～230V AC(电源电压比例)过负载电流额定值额定输出电流的150% 1分钟输入电源相数?电压?频率单相200～230V AC 50/60Hz电压允许变动额定输入交流电压的+10%、-15%频率允许变动额定输入频率的±5%瞬时压降耐量165V AC以上继续运转，降至165V AC以下时继续运转15ms
上传时间： 2022-06-21
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1前言莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电，变频器采用公共直流母线式结构；冷床传输链采用4台电机单独传动，每台电机分别由独立的逆变单元控制，逆变单元的控制方式为无速度编码器的矢量控制，相互之间依靠速度给定的同时性保持同步。自2005年投入生产以来，冷床传输链运行较为稳定，但2007年2月以后，冷床传输链逆变单元频繁出现绝缘栅双极型晶体管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）损坏现象，具体故障情况统计见表1由表1可知，冷床传输链4台逆变器都出现过IGBT损坏的现象，故障代码是F025和F0272原因分析1）IGBT损坏一般是由于输出短路或接地等外部原因造成。但从实际情况上看，检查输出电缆及电机等外部条件没有问题，并且更换新的IGBT后，系统可以立即正常运行，从而排除了输出短路或接地等外部条件造成IGBT损坏。2）IGBT存在过压。该系统采用公共直流母线控制方式，制动电阻直接挂接于直流母线上，当逆变单元的反馈能量使直流母线电压超过DC 715 V时，制动单元动作，进行能耗制动；此外挂接于该直流母线上的其他逆变单元并没有出现IGBT损坏的现象，因此不是由于制动反馈过压造成IGBT烧坏。3）由于负荷分配不均造成出力大的IGBT损坏。从实际运行波形上看，负荷分配相对较为均匀，相互差别仅为2%左右，应该不会造成IGBT损坏。此外，4只逆变单元都出现了IGBT损坏现象，如果是由于负荷分配不均造成，应该出力大的逆变单元IGBT总是烧坏，因此排除由于负荷分配不均造成IGBT损坏。4）逆变单元容量选择不合适，装置容量偏小造成长期过流运行，从而导致IGBT烧毁。逆变单元型号及电机参数：额定功率90kw，额定电流186A，负载电流169 A，短时电流254 A，中间同路额定电流221 A，电源电流205 A，电机功率110kw，电机额定电流205 A，电机正常运行时的电流及转矩波形如图1所示。
上传时间： 2022-06-22
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进年来，脉冲功率装置的使用愈来愈广泛。由于高功率脉冲电变换器源能够为脉冲功率装置的负载提供能量，是构成脉冲功率装置的主体。本文采用LT3751为核心，采用电容、电感储能、并通过电力电子器件配合脉冲变压器设计了反激式功率变换器电路，并通过基于LTspice进行电路瞬态分析，以得到最佳的电路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、电路图捕获和波形观测器，并为简化开关稳压器的仿真提供了改进和模型。凌力尔特（LINEAR）对Spice所做的改进使得开关稳压器的仿真速度极快，较之标准的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV带有80%的凌力尔特开关稳压器的Spice和Macro Model（宏模型），200多种运算放大器模型以及电阻器、晶体管和MOSFET模型，使得我们在进行电路设计仿真，特别是开关电路的设计与仿真时更加轻松。
上传时间： 2022-06-22
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目前，小功率通用或专用变频器以及交流变频家电产品大多采用典型的交-直-交电压型逆变器（vsi）结构，逆变实现一般采用双极性 pwm调制技术，即在同一逆变桥臂上、下 2个开关管施加互补的触发信号。由于开关管自身的特性：开通和关断都需要一定的时间，且关断时间比开通时间要长。因此，若按照理想的触发信号控制开关管的开通和关断，就可能导致同一桥臂的2个开关管直通而损坏开关器件。为了防止这种直通现象的发生，必须在它们开通和关断之间插入一定延时的时间，这个延时时间就称为死区。死区时间内2个开关管都处于关断状态，负载电流通过反并联二极管续流，负载电压不受开关管控制，由此造成负载电压波形发生畸变，逆变器的平均输出电压降低，并产生与死区时间以及调制比成正比的3，5，7，…次谐波分量，进而影响到电动机的输入电流和运行质量。当逆变器工作在低输出频率、开关频率较高和负载感性很弱时这种影响相当严重[1.2]。为此，需要对死区的影响进行补偿，以提高变频器的输出性能和改善电动机的运行工况。常用的补偿方法有电流反馈型和电压反馈型，也有单边补偿与双边补偿、纯硬件补偿与硬件软件结合补偿等具体手段，但其工作原理相似，都是产生一个与死区引起的误差波形反向的波形，以抵消死区的作用[3.10].motorola公司推出的电动机专用控制芯片mr16内部集成了专门的死区补偿硬件电路，只需要简单的外围电流极性检测和简单的软件编程就可以实现可靠的死区补偿
上传时间： 2022-06-26
上传用户：ttalli
基于LTspice的射极跟随器仿真实验1，实验要求与目的（1）进一步掌握静态工作点的调试方法，深入理解静态工作点的作用。（2）调节电路的跟随范围，使输出信号的跟随范围最大。（3）测量电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（4）测量电路的频率特性。2·实验原理在射极跟随器电路中，信号由基极和地之间输入，由发射极和地之间输出，集电极交流等效接地，所以，集电极是输入/输出信号的公共端，故称为共集电极电路。又由于该电路的输出电压是跟随输入电压变化的，所以又称为射极跟随器。3.实验电路射极跟随器电路如图 1所示。4.实验步骤（1）静态工作点的调整。按图 1连接电路，输入信号由信号发生器产生一个幅度为 1V、频率为1kHz的正弦信号。要注意使信号不失真输出。（2）跟随范围调节。增大输入信号直到输出出现失真，观察出现了饱和失真还是截止失真，再增大或减小信号，使失真消除。再次增大输入信号，若出现失真，再调节信号使输出波形达到最大不失真输出，此时电路的静态工作点是最佳工作点，输入信号是最大的跟随范围。最后输入信号增加到28 v，电路达到最大不失真输出如图 2所示。最大输入、输出信号波形如图 3所示。
上传时间： 2022-06-26
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电源是电子设备的重要组成部分，其性能的优劣直接影响着电子设备的稳定性和可靠性，随着电子技术的发展，电子设备的种类越来越多，其对电源的要求也更加灵活多样，因此如何很好的解决系统的电源问题已经成为了系统成败的关键因素。本论文研究选取了BICMOS工艺，具有功耗低、集成度高、驱动能力强等优点.根据电流模式的PWM控制原理，研究设计了一款基于BICMOS工艺的双相DC-DC电源管理芯片。本电源管理芯片自动控制两路单独的转换器工作，两相结构能提供大的输出电流，但是在开关上的功耗却很低。芯片能够精确的调整CPU核心电压，对称不同通道之间的电流。本电源管理芯片单独检测每一通道上的电流，以精确的获得每个通道上的电流信息，从而更好的进行电流对称以及电路的保护。文中对该DC-DC电源管理芯片的主要功能模块，如振荡器电路、锯齿波发生电路、比较器电路、平均电流电路、电流检测电路等进行了设计并给出了仿真验证结果。该芯片只需外接少数元件就可构成一个高性能的双相DC-DC开关电源，可广泛应用于CPU供电系统等。通过应用Hspice软件对该变换器芯片的主要模块电路进行仿真，验证了设计方案和理论分析的可行性和正确性，同时在芯片模块电路设计的基础上，应用0.8umBICMOS工艺设计规则完成了芯片主要模块的版图绘制，编写了DRC.LVS文件并验证了版图的正确性。所设计的基于BICMOS工艺的DC-DC电源管理芯片的均流控制电路达到了预期的要求。
标签： DC-DC电源管理
上传时间： 2022-06-26
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本设计是基于RFIDFM17522官方LPCD程序。该设计通过STM8S003与FM17522 RF通讯，并通过串口读写IC卡信息，设置低功耗自动寻卡等功能。FM17522是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接触读写器芯片，同时提供了低功耗的外部卡片侦测功能(LPCD)，方便电池供电、需要低功耗工作、并且需要实时处理任意时刻会进入射频场的外部卡片的读写器设备。STM8制作的RFID自动寻卡器电路 pcb板
上传时间： 2022-06-30
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系统原理说明：结构上，该逆变器采用模块化的设计思想，分别为升压模块、逆变模块、低通滤波器等。通过升压模块M1进行DC/DC变化，将输入110VDC电压转换350VDC，然后通过逆变模块M2进行DC/AC变换，输出三相200VAC的SPWM波，最后经过输出滤波器滤波后输出三相200V正弦波。逆变器仅在紧急情况下使用，系统上采用了简洁、可靠的设计思想，对外接口只有电压110V输入一组，3相交流输出一组，启动信号一组和故障指示一组，见图2:110V+为110V电源输入正极；110VG为110V电源输入负极；START1与START2为紧急逆变器启动控制；FAULT1与FAULT2为紧急逆变器故障报警信号端口；U、V、W为逆变器的3相200V输出端。逆变器长期处于冷待机状态，当接收到启动信号之后，紧急逆变器开始工作。当空调主电源无法为空调提供电源的时候，地铁车辆内的控制器将吸合内部的无源触头作为紧急逆变器的启动信号（即图2中START1与START2闭合导通时，紧急逆变器启动）。紧急逆变器启动信号回路形成后，如果输入电压正常、逆变器无故障时，紧急逆变器将在20s内完成启动并开始稳定工作。紧急逆变器正常工作时，故障报警触点处于吸合状态；紧急逆变器出现故障时，三相输出停止，故障报警触点断开。（即：正常时，FAULT1与FAULT2闭合导通；故障时，FAULT1与FAULT2开路。）
上传时间： 2022-07-01
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