1引言有要发光二极管（OLED）具有低驱动电压、宽温工作、主动发光、响应速度快和视角宽等优点]，其作为全彩显示器件，与LCD相比，具有更简单的工艺和更低的成本。近年，单色和局域色的OLED显示屏已有较多报道~1，并推出了全彩OLED显示屏~9]。本文研制了尺寸为1.9、分辨率为128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前报道的同等或以下尺寸的采用无源矩阵（PM）驱动的全彩OLED屏中，该屏的分辨率处于较高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技术的实现图1是5种实现全彩OLED显示屏技术的示意图。本文采用（a）所示的平面结构式，每个全彩像素包括红、绿和蓝3个子像素，利用空间混色实现彩色。这种技术的难点是在制作全彩OLED时，需要将红、绿和蓝OLED的发光层（EML）材料分隔开01。屏的最高分辨率不仅受限于机械掩模制作的公差，还受限于在器件制作工艺过程中机械掩模与ITO基板玻璃的对准误差。2.2P-OLED屏的驱动技术OLFD属于电流型器件，其发光亮度与驱动电流成正比，故OLED均采用恒流源驱动。由于OLED自身较高的寄生电容（20~30pF/pixel）和ITO电极引线的电阻（几～几109/口形成的电压降，对恒流源的性能提出了较高的要求，例如可提供高达~30V的电压。为了实现多灰度显示，电流必须可程控。lare公司为了精确控制每个OLED子像素的发光亮度，提出了预充电方案]。根据有无开关和驱动薄膜晶体管的存在，可将矩阵式OLED的驱动可分为P10l和有源矩阵AM112种。PM驱动的显示器件由于制作工艺比AM要简单得多，且成本低廉，故在小尺寸的显示器件上得到了广泛应用。PM驱动电路如图2所示。
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上传时间： 2022-06-24
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本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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本书是单辉祖主编的第2版教材，可作为高等工业院校的材料力学课程教材。
标签： 材料力学
上传时间： 2022-07-04
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《绝缘材料与绝缘件制造工艺》是一本正文语种为简体中文的书籍。本书系统地叙述了变压器制造用绝缘材料的概念、组成、基本性能及适用范围，并地阐述了变压器常用绝缘件的制造工艺。本书共分六章，主要内容有：绝缘材料的基本知识，变压器常用绝缘材料，变压器常用绝缘件的制造，绝缘零件制造设备及常用工具、量具，绝缘件质量控制及质量检验。《绝缘材料与绝缘件制造工艺》系统地叙述了变压器制造用绝缘材料的概念、组成、基本性能及适用范围，并地阐述了变压器常用绝缘件的制造工艺。 《绝缘材料与绝缘件制造工艺》共分六章，主要内容有：绝缘材料的基本知识，变压器常用绝缘材料，变压器常用绝缘件的制造，绝缘零件制造设备及常用工具、量具，绝缘件质量控制及质量检验。 《绝缘材料与绝缘件制造工艺》是较为全面地阐述变压器常用绝缘件制造工艺的专业书，可供变压器制造行业技术工人使用。
上传时间： 2022-07-05
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本书较详细地介绍了微电子器件封装用的高分子材料、陶瓷材料、金属焊接材料、密封材料及黏合剂等材料，阐述了半导体芯片、集成电路器件的封装制造工艺，讲述了微电子器件封装的电子学和热力学设计的基础理论。
上传时间： 2022-07-06
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智能材抖是20 世纪 90 年代迅速发展起来的一类新型复合材料，智能材针自发展以来所取得的成就及对各个领域的影响和渗透一直引人关注。智能材籵在现代医学领域可用于人造肌肉、人造皮肤、药物输送等；在军事领域可用于舰艇，以抑制噪声传播、提高潜艇和军舰的声隐身性能； 在日常生活方面可用于机动车辆以提高车辆的性能和乘坐的舒适度，可用于随心所欲 变换颜 色的住宅。随着介观层次上的表面和 界 面科 学的发展，尽管一些新的科学范式有待建立，但是已为跨越物理、化学、材籵科学等重大学科的交叉，以及纳术科技、生物技术和信息科学等新兴科学的抽合提供了有利时 机。进 入 21 世 纪 ，智能材朴体 系的内涵不断扩大 领域逐渐拓宽。突出的特点是基础研究和应用研究密切结令 仿生技术与纳米技术密切结合。例如，仿荷叶表面微 结构 和性 能的自清洁界面材叶 仿猫前爪垫功能和蜘蛛网柔顺结构及其性能的史为安全的轮胎、仿鲨鱼皮表面棱 纹微 结构 的低 能耗飞机 外 壳涂层、模仿 乌贼等动物的 变色机制制成的“智能玻璃”等。因此 ，智 能材朴的研究正受到各方面的 广泛关注，从 其 结构 的构思 ，也到智能材料的新制法等方 面都 在 积极开展研究。
标签： 智能材料
上传时间： 2022-07-08
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本书是纳米氧化钛光催化材料及应用的一个专著。书中从氧化钛晶体结构和光催化基本原理入手，深入浅出地讨论了纳米氧化钛品晶相、能带结构和谱学特性等多种与材料及光催化活性密切相关的科学问题。用较多篇幅介绍了多种制备氧化钛纳米晶薄膜、介孔材料上修饰氧化认纳米晶、骨架为结晶态的氧化钛及氧化钛复合光催化材料的方法以及如何通过控制合成条件制备高活性氧化钛光催化材料。书中还结合实例介绍了光催化技术及氧化仗光催化材料在污水处理窄气净化、太阳能利用抗菌防雾、自清洁功能等方面的应用技术。本书对从事纳米氧化怯光催化材料制备和应用研究的科技工作者有重要参考价值。
标签： 光催化材料
上传时间： 2022-07-10
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GJB 2038A-2011 雷达吸波材料反射率测试方法
上传时间： 2022-07-20
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该文档为单片机入门汇编程序--1个8×8的发光二极管点阵的显示程序精讲文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
标签： 单片机
上传时间： 2022-07-27
上传用户：jason_vip1
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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