双晶硅技术资料下载专区，收录500份相关技术文档、开发源码、电路图纸等优质工程师资源，全部免费下载。
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm)， 比上一代器件的面积小了近70%，在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大...
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业...
介绍了一种利用MCS-51系列单片机控制的控制角可调整的三相全控桥可控硅整流触发器.采用锁相环技术实现触发脉冲与电源信号的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产生不同控制角的6组触发脉冲,且电路易于实现,...
利用硅烷法将ssDNA 固化T方向切割、3. 58MHz 和10MHz 石英晶体金电极上,构建了压电DNA传感器,建立了快速检测葡萄球菌肠毒素B(SEB) 基因的方法。优化了固定SEB 基因的条件,并
研究了利用硅薄片为敏感元件的电容式加速度计,加速度计的悬臂梁与惯性质量块是一个整体结构,可以消除元件弹性连接的不完善性,而且极板间隙中空气相对介电常数εr 的高稳定性是这种电容式传感器的优点之
研究以MCS-96系列80C196KB单片机为基础,结合外围器件来实现对可控硅三相全控桥的触发控制.采用锁相环技术及过零触发的方法,实现触发脉冲与电源信号(线电压)的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产...
文章研究了用MCS-96系列80C196KB单片机为基础结合外围器件来实现对可控硅三相全控桥的触发控制.采用锁相环技术及过零触发的方法,实现触发脉冲与电源信号(线电压)的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制...
介绍了一种利用MCS-51系列单片机控制的控制角可调整的三相全控桥可控硅整流触发器.采用锁相环技术实现触发脉冲与电源信号的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产生不同控制角的6组触发脉冲,且电路易于实现,...
本文介绍了利用PIC16F877单片机实现对可控硅触发的数字式控制电路.给出了实现控制电路的硬件设计和单片机的软件编程思路,该控制电路和控制方法在快速调节消弧线圈的调节控制中得到验证,已经运用于配电网的快速调节消弧线圈接地系统中.