产品型号：VK3603 产品品牌：VINKA/永嘉微电 封装形式：ESOP8 产品年份：新年份 联 系 人：陈锐鸿 Q Q：361 888 5898 联系手机：188 2466 2436（信） 概述： VK3603具有3个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较 高的集成度，仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了3路直接输出功能。芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可 减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种触摸按键+IO 输出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。 特点： • 工作电压 2.4-5.5V • 待机电流7uA/3.3V,14uA/5V • 上电复位功能（POR） • 低压复位功能（LVR） • 触摸输出响应时间： 工作模式 48mS 待机模式160mS • CMOS输出，低电平有效，支持多键 • 有效键最长输出16S • 无触摸4S自动校准 • 专用脚接对地电容调节灵敏度(1-47nF） • 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度（0-50pF） • 上电0.25S内为稳定时间，禁止触摸 • 封装SOP8-EP(150mil)(4.9mm x 3.9mm PP=1.27mm) 产品型号：VK3601 产品品牌：VINKA/永嘉微电 封装形式：SOT23-6 产品年份：新年份 联 系 人：陈锐鸿 概述: VK3601 是一款单触摸通道带1个逻辑控制输出的电容式触摸芯片。 特点和优势： • 可通过触摸实现各种逻辑功能控制,操作简单、方便实用 • 可在有介质（如玻璃、亚克力、塑料、陶瓷等）隔离保护的情况下实现触摸功能，安全性高。 • 应用电压范围宽，可在 2.4~5.5V 之间任意选择 • 应用电路简单，外围器件少，加工方便，成本低 • 低待机工作电流（没有负载） @VDD=3.3V，典型值 4uA，最大值 8uA。@VDD=5.0V，典型值 8uA，最大值 16Ua • 专用管脚接外部电容（1nF-47nF）调灵敏度 • 抗电源干扰及手机干扰特性好。EFT 可以达到±2KV 以上；近距离、多角度手机干扰情况下， 触摸响应灵敏度及可靠性不受影响。 • 上电后的初始输出状态由上电前 AHLB 的输入状态决定。AHLB 管脚接 VDD（高电平）或者悬空上电，上电后SO 输出高电平；AHLB 管脚接 GND（低电平）上电，上电后SO输出低电平。•按住 TI，对应 SO的输出状态翻转；松开后回复初始状态 • 上电后约为0.25秒的稳定时间，此期间内不要触摸检测点，此时所有功能都被禁止 • 自动校准功能刚上电的4秒内约62.5毫秒刷新一次参考值，若在上电后的4秒内有触摸按键或4秒后仍未触摸按键，则重新校准周期切换时间约为1秒 • 4S无触摸进入待机模式 ————————————————— 标准触控IC-电池供电系列： VKD223EB --- 工作电压/电流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感应通道数：1 通讯界面 最长回应时间快速模式60mS，低功耗模式220ms 封装：SOT23-6 VKD223B --- 工作电压/电流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感应通道数：1 通讯界面 最长回应时间快速模式60mS，低功耗模式220ms 封装：SOT23-6 VKD233DB --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DH ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 有效键最长时间检测16S VKD233DS --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装） 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DR --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/1.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装） 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流1.5uA-3V VKD233DG --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装） 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DQ --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 通讯界面：直接输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流5uA-3V VKD233DM --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 （开漏输出） 通讯界面：开漏输出，锁存(toggle)输出 低功耗模式电流5uA-3V VKD232C --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 感应通道数：2 封装：SOT23-6 通讯界面：直接输出，低电平有效 固定为多键输出模式，内建稳压电路 MTP触摸IC——VK36N系列抗电源辐射及手机干扰： VK3601L --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/4UA-3V3 感应通道数：1 1对1直接输出 待机电流小，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏 封装：SOT23-6 VK36N1D --- 工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：1 1对1直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏封装：SOT23-6 VK36N2P --- 工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：2 脉冲输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏封装：SOT23-6 VK3602XS ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/60UA-3V 感应通道数：2 2对2锁存输出 低功耗模式电流8uA-3V，抗电源辐射干扰，宽供电电压 封装：SOP8 VK3602K --- 工作电压/电流：2.4V-5.5V/60UA-3V 感应通道数：2 2对2直接输出 低功耗模式电流8uA-3V，抗电源辐射干扰，宽供电电压 封装：SOP8 VK36N2D --- 工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：2 1对1直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏封装：SOP8 VK36N3BT ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：3 BCD码锁存输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏 封装：SOP8 VK36N3BD ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：3 BCD码直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰，可通过CAP调节灵敏 封装：SOP8 VK36N3BO ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：3 BCD码开漏输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP8/DFN8（超小超薄体积） VK36N3D --- 工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：3 1对1直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N4B ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：4 BCD输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N4I---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：4 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N5D ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：5 1对1直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N5B ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：5 BCD输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N5I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：5 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N6D --- 工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：6 1对1直接输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N6B ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：6 BCD输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N6I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：6 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N7B ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：7 BCD输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N7I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：7 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N8B ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：8 BCD输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N8I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：8 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N9I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：9 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） VK36N10I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感应通道数：10 I2C输出 触摸积水仍可操作，抗电源及手机干扰 封装：SOP16/DFN16（超小超薄体积） 1-8点高灵敏度液体水位检测IC——VK36W系列 VK36W1D ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1对1直接输出 水位检测通道：1 可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源/手机干扰封装：SOT23-6 备注：1. 开漏输出低电平有效 2、适合需要抗干扰性好的应用 VK36W2D ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1对1直接输出 水位检测通道：2 可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源/手机干扰封装：SOP8 备注：1. 1对1直接输出 2、输出模式/输出电平可通过IO选择 VK36W4D ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1对1直接输出 水位检测通道：4 可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源/手机干扰封装：SOP16/DFN16 备注：1. 1对1直接输出 2、输出模式/输出电平可通过IO选择 VK36W6D ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1对1直接输出 水位检测通道：6 可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源/手机干扰封装：SOP16/DFN16 备注：1. 1对1直接输出 2、输出模式/输出电平可通过IO选择 VK36W8I ---工作电压/电流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 I2C输出 水位检测通道：8 可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源/手机干扰封装：SOP16/DFN16 备注：1. IIC+INT输出 2、输出模式/输出电平可通过IO选择 KPP878
标签： 3603 VK 脚位 电源供电 电子秤 触摸检测 芯片
上传时间： 2022-04-14
上传用户：shubashushi66
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS层制作，然后进行正面结构（包括元胞和终端）的制作，最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为：耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值，通过进一步改进工艺及结构，提高产品良率，最终可以形成有竞争力的产品。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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摘要：为解决绝缘栅双极性品体管（ICET）在实际应用中经常出现的过流击穿问题，在分析了ICET过流特性和过流检测方法的基础上，根据过流时IGBT集电极电流的大小分别设计了过载保护电路和短路保护电路。过载保护电路在检测到过载时立即关断ICBT.根据不同的过载保护要求可实现持续封锁、固定时间封锁及单周期封锁ICBT的驱动信号；短路保护电路通过检测IGBT通态压降判别短路故障，利用降栅压、软关断和降顿综合保护技术降低短路电流并安全关断IGBT，详细阐述了保护电路的保护机制及电路原理，最后对设计的所有保护电路进行了对应的过流保护测试，给出了测试波形图。试验结果表明，IGBT保护电路能及时进行过流检测并准确动作，IGBT在不同的过流情况下都得到了可靠保护关键词：绝缘栅双极性晶体管；过流保护；降棚压；软关断
上传时间： 2022-06-21
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IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析，同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源，设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备，电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题，因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题，本文分析了出现各种状况的原因，并给出了各自的解决方案：采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护；采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现；通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度，从而使电路能够更好地可靠运行。同时，为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求，在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压，并联不均流的问题进行了阐述，并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形，采用PSpice对其进行仿真模拟，并通过加入均压、均流电路后的仿真结果，有效地说明了电路的可行性。
上传时间： 2022-06-22
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本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目，在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下，论文采用了一种开关电源与低压降（LDO）线性电压调节器结合应用的集成方案，即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求，本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺，实现LDO的输入电压范围为6-13V：满足在-25-85℃的工作温度范围内，输出电压为5V：在典型负载电流（12.5mA）下，LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理，给出LDO设计的指标要求；其次，依据系统方案的指标要求和制造工艺约束，实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器：此外，文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题：最后，给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分，文章基于对三种不同LDO拓扑的分析，选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络，采用反馈电容，实现对LDO的环路补偿。同时，为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求，文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理，本文通过研究密勒电容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）结构，实践了两级放大器驱动大负载电容的方案，并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。
上传时间： 2022-06-22
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舰船、飞机、移动通讯、石油钻井平台等独立系统中有许多交直流电力并存的场合，需要实现发供电系统的小型化、高功率密度、高可靠性以及高品质。常规的电励磁发电机因为带有电刷使供电系统的运行安全存在隐患，并且励磁机的使用增加了电机的体积和损耗。为使系统节能高效，本文设计并制作了应用于独立交直流电力系统的交直流永磁同步发电机。永磁电机定子上带有三套三相绕组，一套绕组用于提供交流电力，其余的两套绕组相位互差30度电角度，接整流器为直流负载供电。文中对电机的设计以及电机的基本性能进行探讨。为了减小永磁发电机的电压调整率，在电机的交轴与电机的永磁磁极尾部之间加一软磁材料，通过增加电机负载时的交轴电抗压降，来改善电机的电压调整率。 首先，针对永磁电机设计的特殊性，应用二维有限元法计算电机的电磁场以确定电机的主要尺寸，并讨论了不同软磁材料尺寸对电机的影响。文中还根据电磁场的计算结果，应用傅立叶级数计算了电机的空载感应电动势以用于预测电机的性能，使用能量摄动法计算了计及饱和、槽影响下的电机电感参数。考虑到永磁材料的温度性能问题，应用电磁场和温度场耦合的方式计算了电机稳态时的温度场。 然后，为了了解永磁同步发电机的主要电磁关系，研究了电机的数学模型，推导了考虑漏磁时具有三套互差一定电角度三相绕组的永磁发电机在dq0坐标系下的方程，可以看到，在dq0坐标系下电机的电感参数为常数。这样，利用这个特性，在对电机运行性能进行研究时，可以得到简化电磁方程。根据电机稳态运行时的方程，得到了电机的向量图。 因为带有多套绕组的永磁电机中含有较多的谐波，而采用dq0坐标系下的方程会忽略掉气隙磁场中的谐波分量，为了对电机的仿真更加精确，电机仿真时采用电机在ABC坐标系下的基本电磁方程。应用Matlab/SimPowerSystems中的模块搭建电机的仿真模型，永磁体的影响用感应电动势来表示。根据仿真结果与样机试验结果的比较发现，两者吻合良好。 另外，本文还设计了一台电励磁的交直流发电机，电磁设计结果表明，永磁电机在体积、重量、效率方面都很有优势。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：ynzfm
该文就多媒体信息的主体之一-图像信号的压缩和解压进行了分析,并结合实际课题所设计的数字图像监控系统对其中的图像解码过程进行了软硬件的实现.首先我们在ANALOG DEVICE公司的ADSP-2189上进行了解码系统的验证,就解码输出的质量进行了主观评价.通过软件仿真,我们还进一步得到了解码过程中,哪些指令占用较多的指令执行时间,哪些指令会成为硬件实现时的瓶颈.它为我们的FPGA优化设计提供了理论上的依据.综合考虑设计方案的复杂程度、系统规模、系统时延、器件成本等各项因素,通过对各种FPGA器件性能与开发工具的选择比较,决定选用Altera公司的FLEX10K器件来做最终的硬件实现.它不仅为图像解码系统的ASIC实现做了一定的理论分析和技术准备,也为FPGA技术在数字信号处理领域的应用开辟了新的研究方向.在硬件设计过程中,根据FPGA技术的优点,采用"自上而下"和"自下而上"相结合的设计方法,将整个系统进行功能模块分割并分别实现.所有处理模块均采用VERILIG语言编写,对其中的主要模块都进行了优化设计.通过这些优化不仅提高了解压性能,还减少了处理时间和所占用的硬件空间.最后通过仿真表明了所实现的图像解码系统具有良好的性能,具有一定的使用价值.
上传时间： 2013-06-26
上传用户：再见大盘鸡
国家电网公司生产运营部，电能计量装置现场检验作业指导书。主要针对电网关口和大的电力用户的电能计量装置，包括电能表、计量用电流、电压互感器以及电压互感器二次回路压降的现场检验的方法、操作程序和安全要求予以科学合理的规范。2003年的文件，可供参考。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：Poppy
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或释放，其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关，它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合，只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理 1.四双向模拟开关CD4066 CD4066 的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关，每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子，其中输入端和输出端可互换。当控制端加高电平时，开关导通；当控制端加低电平时开关截止。模拟开关导通时，导通电阻为几十欧姆；模拟开关截止时，呈现很高的阻抗，可以看成为开路。模拟开关可传输数字信号和模拟信号，可传输的模拟信号的上限频率为40MHz。各开关间的串扰很小，典型值为－50dB。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：bibirnovis
