系统地分析了5kW恒流逆变器中辅助电源电磁干扰产生的来源和干扰方式以及对整个变流器系统性能的影响。结合工作实践给出了一系列提高电源系统电磁兼容性(EMC)的设计方
上传时间： 2014-01-14
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摘要:针对便携式智能温度仪中辅助电源设计,考虑其产品体积要求与温度、湿度等多路测量精度要求,选择FLYBACK(反激式DC/DC变换器)为设计基础,就其体积要求很小所带来的一系列的干扰给出了一些有用的抑制方法.通过优化变压器设计,电路结构设计PCB板设计以及保护控制电路,提出一种具有尝试性的变换器设计方案.实验结果证明,该设计方案可以很好的满足温度测量要求.关键词:反激式直流变换器;开关电源;抗干扰;智能温度仪
上传时间： 2013-11-17
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在DCM状态下选择：Uin－电源输入直流电压Uinmin－电源输入直流电压最小值D－占空比Np－初级绕组匝数Lp－初级绕组电感量Ae－磁芯有效面积Ip－初级峰值电流f－开关频率Ton－开关管导通时间I－初级绕组电流有效值η－开关电源效率J－电流密度
上传时间： 2013-12-16
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摘要:采用通用电路分析软件PSPICE,在保证模拟电路精度的情况下,建立实时电路仿真模型,进而对开关电源系统进行计算机实时仿真分析,对开关电源闭环控制系统动态响应过程及稳态过程的仿真分析表明,该方法可优化系统的设计方案,验证理论设计的可行性.关键词:开关电源;仿真分析;电路模型;反激式
上传时间： 2013-10-24
上传用户：liaofamous
在16MHZ频率下速度为16MIPS的8位RISC结构单片机，内含硬件乘法器。 支持JTAG端口仿真和编程，仿真效果比传统仿真同更真实有效。 8通道10位AD转换器，支持单端和双端差分信号输入，内带增益可编程运算放大器。 16K字节的FLASH存贮器，支持ISP、IAP编程，使系统开发、生产、维护更容易。 多达1K字节的SRAM，32个通用寄存器，三个数据指针，使用C语言编程更容易。 512字节的EEPROM存贮器，可以在系统掉电时保存您的重要数据。 多达20个中断源，每个中断有独立的中断向量入口地址。 2个8位定时/计数器，1个16位定时/计数器，带捕捉、比较功能，有四个通道的PWM。 硬件USART、SPI和基于字节处理的I2C接口。 杰出的电气性能，超强的抗干扰能力。每个IO口可负载40mA的电流，总电流不超过200mA。 可选片内/片外RC振荡、石英/陶瓷晶振、外部时钟，更具备实时时钟（RTC）功能；片内RC振荡可达8MHZ，频率可校调到1%精度；片外晶振振荡幅度可调，以改善EMI性能。 内置模拟量比较器。 可以用熔丝开启、带独立振荡器的看门狗，看门狗溢出时间分8级可调。 内置上电复位电路和可编程低电压检测（BOD）复位电路。 六种睡眠模式，给你更低的功耗和更灵活的选择。 ATMEGA16L工作电压2.7V-5.5V，工作频率0-8MHZ；ATMEGA16工作电压4.5-5.5V，工作频率0-16MHZ。 32个IO口，DIP40、TQFP44封装。 与其它8位单片机相比，有更高的程序安全性，保护您的知识产权。
上传时间： 2013-11-22
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为了有效地提升铅酸蓄电池的使用寿命，同时实现对充电过程的监控，设计出一种用单片机控制的36 V铅酸蓄电池充电电源。本电路采用反激式拓扑，连续电流工作模式，电源管理IC设计在电源的副边，由ELAN公司的EM78P258N单片机模拟，是用可编程器件模拟电源管理IC，实现智能电源低成本化的一次成功尝试，通过对单片机的软件设计实现了充电电源的状态显示、充电时间控制、报警、过温保护、过压保护、过流保护等功能。本充电器真正的实现了铅酸蓄电池的三段式充电过程，其最高输出功率可达90 W，效率约85%，成本不到20元，具有很高的市场竞争力。 Abstract: In order to extend the life of lead-acid battery efficiently and supervise the charging process meanwhile， a 36V lead-acid battery charge powe supply controlled by microcontroller is designed. The charger is flyback switching power supply and works in CCM mode. A EM78P258N microcontroller made by ELAN microelectronics corporation is used as power management IC which is designed at the secondary circuit. The project is a successful attempt to low-cost intelligent power used microcontroller simulating power management IC. The charger also has the functions of the status reveal， charge time control， alarming， thermal protect， current limit and overvoltage protect by the software design. The circuit actually implements the three-step charge process， whose power is up to 90W and whose efficiency can get 85%. The net cost of this charger is less than 20 RMB， so that the charger is of powerful market competitiveness.
上传时间： 2013-11-16
上传用户：cepsypeng
序号 参数 数据 单位 参数 说 明 . 输 入 参 数 变 量 1 umin V 交流输入电压最小值 2 umax V 交流输入电压最大值 3 fL Hz 电网频率 4 f kHz 开关频率 5 UO V 直流输出电压 6 PO W 输出功率 7 η % 电源效率 8 Z 0.5 损耗分配系数 9 UFB V 反馈电压
上传时间： 2013-10-14
上传用户：小码农lz
描述ATtiny15/L是一款基于AVRRISC的低功耗CMOS的8位单片机。通过在一个时钟周期内执行一条指令，ATtiny15/L可以取得接近1MIPS/MHz的性能，从而使得设计人员可以在功耗和执行速度之间取得平衡。AVR核将32个工作寄存器和丰富的指令集联结在一起。所有的工作寄存器都与ALU算逻单元直接相连，允许在一个时钟周期内执行的单条指令同时访问两个独立的寄存器。这种结构提高了代码效率，使AVR得到了比普通CISC单片机高将近10倍的性能。ATtiny15/L具有4个单端及一个20倍增益的差分ADC通道。高速PWM输出使得ATtiny15/L十分适合于电池充电器应用和电源调节电路。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：yinglimeng
1 . 系统概述C8051F330/1器件是完全集成的混合信号片上系统型MCU。下面列出了一些主要特性，有关某一产品的具体特性参见表1.1。 高速、流水线结构的8051兼容的CIP-51内核（可达25MIPS） 全速、非侵入式的在系统调试接口（片内） 真正10位200 ksps的16通道单端/差分ADC，带模拟多路器 10位电流输出DAC 高精度可编程的25MHz内部振荡器 8KB可在系统编程的FLASH存储器 768字节片内RAM 硬件实现的SMBus/ I2C、增强型UART和增强型SPI串行接口 4个通用的16位定时器 具有3个捕捉/比较模块和看门狗定时器功能的可编程计数器/定时器阵列（PCA） 片内上电复位、VDD监视器和温度传感器 片内电压比较器 17个端口I/O（容许5V输入）
标签： C8051F330D 混合信号 控制器 数据手册
上传时间： 2013-10-18
上传用户：haohao
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-12
上传用户：han_zh
