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查看全部 500 份 →基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
提出了一个考虑ＦＰ 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中，截取多个反射回峰，以提高材料参数提取的精确度。另外，考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高，提出了一种有效的厚度优化方法。以ＧａＡｓ 为待测样品，利用上述方法...
2013-12-16
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...
2022-01-03
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