氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：hphh
德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。
上传时间： 2014-05-26
上传用户：zhangliming420
2SJ系列场效应管参数大全:
上传时间： 2013-11-24
上传用户：wlcaption
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
标签： Construction Strategy ESD of
上传时间： 2013-11-09
上传用户：Aidane
为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册，编者根据国内外 出版的最新资料，在1992年 最新增订版的基础上，又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号，并且，还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手册介绍了数万种国 外晶体管（包括部分场效应 管）的型号、用途、极性、主要 参数、国外代换型号、国内代 换型号以及具有管脚排列和 实际尺寸的外形图。手册还 介绍了中国、国际、美国、日 本等半导体器件型号命名法 等内容。 本手册的特点是：资料 新颖，型号齐全，查阅方便， 实用性强，可供业余无线电 爱好者、电子和通讯专业的 工人和工程技术人员使用。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：liu999666
运用PROTEL DXP 2004设计的项目“单管放大”视频教学，完整展现了从原理图到PCB的过程
上传时间： 2013-11-25
上传用户：龙飞艇
创建PCB元件管脚封装
上传时间： 2014-12-24
上传用户：chenjjer
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
带数码管显示的 移动电源原理图
上传时间： 2013-10-21
上传用户：拔丝土豆
通俗易懂的介绍MOS管和使用方法
上传时间： 2014-08-23
上传用户：woshinimiaoye
