可编程器件，如果有问题的可以和我直接联系
上传时间： 2013-09-06
上传用户：思索的小白
protel的常用器件库\r\n protel的常用器件库\r\nprotel的常用器件库
上传时间： 2013-09-19
上传用户：奔跑的雪糕
protel的常用器件库，本人积累几年的成果，尤其适合单片机开发电路设计使用。
上传时间： 2013-09-20
上传用户：hz07104032
基于又些器件在Proteus 里没有库文件，特此添加的一些，希望用得上
上传时间： 2013-09-21
上传用户：asaqq
proteus 的元件器件中英文对照翻译表
上传时间： 2013-09-22
上传用户：小火车啦啦啦
Proteus6.7是目前最好的模拟单片机外围器件的工具，真的很不错。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外围电路（如LCD，RAM，ROM，键盘，马达，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其实proteus与multisim比较类似，只不过它可以仿真MCU！
上传时间： 2013-09-29
上传用户：swz13842860183
意法半导体静电计单相组合解决方案 图 意法半导体静电计单相组合解决方案
上传时间： 2013-10-23
上传用户：Aidane
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ZOULIN58
半导体基础
标签： 半导体
上传时间： 2013-10-08
上传用户：yt1993410
