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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对...

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半导体 gan sic

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半导体存储器及其测试-376页-6.0M.pdf
376 6.0 半导体存储器

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gbt-17574.9-2006-半导体器件-集成电路-第2-9部分-数字集成电
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