基于又些器件在Proteus 里没有库文件，特此添加的一些，希望用得上
上传时间： 2013-09-21
上传用户：asaqq
proteus 的元件器件中英文对照翻译表
上传时间： 2013-09-22
上传用户：小火车啦啦啦
Proteus6.7是目前最好的模拟单片机外围器件的工具，真的很不错。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外围电路（如LCD，RAM，ROM，键盘，马达，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其实proteus与multisim比较类似，只不过它可以仿真MCU！
上传时间： 2013-09-29
上传用户：swz13842860183
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
意法半导体静电计单相组合解决方案 图 意法半导体静电计单相组合解决方案
上传时间： 2013-10-23
上传用户：Aidane
介绍了基于采用分立元件设计的LC谐振放大器的设计方案与实现电路， 可用于通信接收机的前端电路，主要由衰减器、谐振放大器、AGC电路以及电源电路四部分组成。通过合理分配各级增益和多种措施提高抗干扰性，抑制噪声，具有中心频率容易调整、稳定性高的特点。电路经实际电路测试表明具有低功耗、高增益和较好的选择性。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：anng
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ZOULIN58
半导体基础
标签： 半导体
上传时间： 2013-10-08
上传用户：yt1993410
氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：hphh
