lpd6803是深圳英盛美半导体公司出品的一款高性能led驱动芯片，该芯片具有如下特点： 三路输出，恒流驱动：每路各有一个外挂电阻调整电流：Iout(max)=30mA, Vout(max)=12V。 兼容恒压模式，可直接替换ZQL9712等常规芯片。 直接PWM输出，无亮度损失，降低数据传输量，有效减少电磁干扰(EMI)。 支持32级灰度/256级灰度（内置反伽码校正逻辑）两种模式，扫描频率高（>4000HZ）。 仅需时钟线/数据线的两线传输结构，级联能力超强。 内建振荡器，支持FREE-RUN模式，降低控制电路成本。 内置LDO稳压电路，电源适应范围宽(4.8-8V)，输出耐压高（LED灯供电电压可达12V）。 简化外围配套，可扩充性好，也可作为PWM发生器控制大电流器件驱动大功率LED灯。 该芯片特别适合用于led幕墙灯、led全彩点光源、广告字、异型屏等产品，相对于9712/6106/595/5026/62726等芯片来说，外围器件少，电路简单， 布线容易，使用电线节省，控制器也简单。
上传时间： 2014-01-21
上传用户：trepb001
LED数码管也称半导体数码管，是目前数字电路中最常用的显示器件。它是以发光二极管作笔段并按共阴极方式或共阳极方式连接后封装而成的。图5-41所示是两种LED数码管的外形与内部结构，＋、－分别表示共阳极和共阴极，a～g是7个笔段电极，DP为小数点。LED数码管型号较多，规格尺寸也各异，显示颜色有红、绿、橙等
上传时间： 2014-11-30
上传用户：lhc9102
LCD 因其轻薄短小,低功耗,无辐射,平面 直角显示,以及影像稳定等特点,当今应用非常 广泛。CPLD(复杂可编程逻辑器件) 是一种具有 丰富可编程功能引脚的可编程逻辑器件,不仅可 实现常规的逻辑器件功能,还可以实现复杂而独 特的时序逻辑功能。并且具有ISP (在线可编 程) [1 ] 功能,便于进行系统设计和现场对系统进 行功能修改、调试、升级。通常CPLD 芯片都有 着上万次的重写次数,即用CPLD[ 2 ] 进行硬件设 计,就像软件设计一样灵活、方便。而现今LCD 的控制大都采用专用控制芯片,且一般都采用进 口芯片,成本较高。并且为了保证在特定环境下 控制芯片能正常工作,往往要加上必需的与门、 非门、以及HC244 ,HC245 、HC373 等元件,这样 不仅提高的成本,也因分立元件的引入而降低了 电路的可靠性。本设计的目的是采用Xilinx 公 司生产的一片XC95288 和一片XC95144 来实现 LCD 控制器以及其外围控制,时序逻辑的全部 功能,使得LCD 控制系统故障率和开发成本大 大降低,并使LCD 控制系统有强大的功能可扩 展性。
上传时间： 2016-09-25
上传用户：lanhuaying
7段数码显示译码器设计7段数码是纯组合电路，通常的小规模专用IC，如74或4000系列的器件只能作十进制BCD码译码，然而数字系统中的数据处理和运算都是二进制的，所以输出表达都是十六进制的，为了满足十六进制数的译码显示，最方便的方法就是利用译码程序在FPGA/CPLD中来实现。例子作为七段译码器，输出信号LED7S的7位分别接数码管的7个段，高位在左，低位在右。例如当LED7S输出为“1101101”时，数码管的7个段g、f、e、d、c、b、a分别接1、1、0、1、1、0、1；接有高电平的段发亮，于是数码管显示“5”。
上传时间： 2014-01-26
上传用户：1427796291
器件数据手册专辑 120册 2.15G半导体存储器及其测试 376页 6.0M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
是否要先打开ALLEGRO? 不需要(当然你的机器须有CADENCE系统)。生成完封装后在你的输出目录下就会有几千个器件（全部生成的话）,默认输出目录为c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思？ 对应ipc7351A的ABC封装吗？ 是的 能否将MOST, NOMINAL, LEAST三种有差别的封装在命名上也体现出差别？ NOMINAL 的名称最后没有后缀，MOST的后缀自动添加“Ｍ”，LEAST的后缀自动添加“L”，你看看生成的库名称就知道了。（直插件以及特别的器件，如BGA等是没有MOST和LEAST级别的，对这类器件只有NOMINAL） IC焊盘用长方形好像比用椭圆形的好，能不能生成长方形的？ 嗯。。。。基本上应该是非直角的焊盘比矩形的焊盘好，我记不得是AMD还是NS还是AD公司专门有篇文档讨论了这个问题，如果没有记错的话至少有以下好处：信号质量好、更省空间（特别是紧密设计中）、更省锡量。我过去有一篇帖子有一个倒角焊盘的SKILL，用于晶振电路和高速器件（如DDR的滤波电容)，原因是对宽度比较大的矩形用椭圆焊盘也不合适，这种情况下用自定义的矩形倒角焊盘就比较好了－－－你可以从网上另外一个DDR设计的例子中看到。 当然，我已经在程序中添加了一选择项，对一些矩形焊盘可以选择倒角方式. 刚才试了一下，感觉器件的命名的规范性不是太好，另好像不能生成器件的DEVICE文件，我没RUN完。。。 这个程序的命名方法基本参照IPC-7351，每个人都有自己的命名嗜好，仍是不好统一的；我是比较懒的啦，所以就尽量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE，的选项已经添加 (这就是批量程序的好处，代码中加一行，重新生产的上千上万个封装就都有新东西了)。 你的库都是"-"的,请问用过ALLEGRO的兄弟,你们的FOOTPRINT认"-"吗?反正我的ALLEGRO只认"_"(下划线) 用“－”应该没有问题的，焊盘的命名我用的是"_"（这个一直没改动过）。 部分丝印画在焊盘上了。 丝印的问题我早已知道，只是尽量避免开（我有个可配置的SilkGap变量）,不过工作量比较大，有些已经改过，有些还没有；另外我没有特别费功夫在丝印上的另一个原因是，我通常最后用AUTO-SILK的来合并相关的层，这样既方便快捷也统一各个器件的丝印间距，用AUTO-SILK的话丝印线会自动避开SOLDER-MASK的。 点击allegro后命令行出现E- Can't change to directory: Files\FPM，什么原因？ 我想你一定是将FPM安装在一个含空格的目录里面了，比如C:\Program Files\等等之类，在自定义安装目录的时候该目录名不能含有空格，且存放生成的封装的目录名也不能含有空格。你如果用默认安装的话应该是不会有问题的, 默认FPM安装在C:\FPM，默认存放封装的目录为C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成时.allegro会死机.以前版本的Allegro封装生成器用spb15.51生成时没有死机现象 我在生成MELF类封装的时候有过一次死机现象，估计是文件操作错误导致ALLEGRO死机，原因是我没有找到在ｓｋｉｌｌ里面直接生成SHAPE焊盘的方法（FLASH和常规焊盘没问题）, 查了下资料也没有找到解决方法，所以只得在外部调用SCRIPT来将就一下了。（下次我再查查看），用SCRIPT的话文件访问比较频繁（幸好目前MELF类的器件不多）. 解决办法： １、对MELF类器件单独选择生成，其它的应该可以一次生成。 ２、试试最新的版本(当前0.05) 请说明运行在哪类器件的时候ALLEGRO出错，如果不是在MELF附近的话，请告知，谢谢。 用FPM0.04生成的封装好像文件都比较大，比如CAPC、RES等器件，都是300多K，而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封装一般才几十K到100K左右，不知封装是不是包含了更多的信息？ 我的每个封装文件包含了几个文字层（REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分开的，BOND层和高度信息，还有些定位线(在DISP层）,可能这些越来越丰富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么内容的话，打开所有层就看见了（或REPORT） 非常感谢 LiWenHui 发现的BUG, 已经找到原因，是下面这行： axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空间开得太大，后又没有压缩的原因，现在生成的封装也只有几十K了，0.05版已经修复这个BUG了。 Allegro封装生成器0.04生成do-27封装不正确,生成封装的焊盘的位号为a,c.应该是A,B或者1,2才对. 呵呵，DIODE通常管脚名为AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的， 极少见AB。 除了DIODE和极个别插件以及BGA外，焊盘名字以数字为主, 下次我给DIODE一个选择项，可以选择AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去区分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了，这样会没完没了的，我将对TRANSISTER强制统一以数字编号了，如果用家非要改变，只得在生成库后手工修改。
标签： Footprint Maker 0.08 FPM skill
上传时间： 2018-01-10
上传用户：digitzing
本设计方案中我采用多路复用器，2-4译码器，LED灯和或门等器件来完成设计。用2个74x151多路复用器扩展为16-2多路复用器,题目中的地址代码A、B、C、D4个输入端作为扩展的多路复用器的地址端，DO-D8作为数据端。开箱钥匙孔信号E作为2-4decoder的使能端。设计开锁的正确代码为0101，当用钥匙开锁(即2-4decoder的使能端有效〉时，如果正确输入开锁密码:0101，则输出Y为逻辑高电平，Y’为逻辑低电平，锁被打开，而LED灯不会亮（即不会报警);如果输入的密码错误或者钥匙孔信号无效，则输出Y为逻辑低电平，Y’为逻辑高电平，锁无法打开，逻辑高电平Y’驱动LED灯亮，产生报警效果。2.设计原理图:(以下电路图为用QuartusI踪合后截屏所得) 本设计方案中我采用多路复用器，2-4译码器，LED灯和或门等器件来完成设计。用2个74x151多路复用器扩展为16-2多路复用器,题目中的地址代码A、B、C、D4个输入端作为扩展的多路复用器的地址端，DO-D8作为数据端。开箱钥匙孔信号E作为2-4decoder的使能端。设计开锁的正确代码为0101，当用钥匙开锁(即2-4decoder的使能端有效〉时，如果正确输入开锁密码:0101，则输出Y为逻辑高电平，Y’为逻辑低电平，锁被打开，而LED灯不会亮（即不会报警);如果输入的密码错误或者钥匙孔信号无效，则输出Y为逻辑低电平，Y’为逻辑高电平，锁无法打开，逻辑高电平Y’驱动LED灯亮，产生报警效果。2.设计原理图:(以下电路图为用QuartusI踪合后截屏所得)
标签： 密码锁
上传时间： 2021-04-26
上传用户：情可倾想
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为100*55mm, ALTIUM设计的原理图+PCB文件，可以做为你的学习设计参考。主要器件型号如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上传时间： 2021-11-21
上传用户：kent
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
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