PLC 控制系统最初被应用于对离散量的控制,随着技术的发展和实际工程应用的需求,PLC 控制系统也开始用于对连续变量的控制。结合实际工程,对PID 模块指令在Allen2Bradley 公司的PLC 产品中的应用,进 行阐述说明。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：小宝爱考拉
设计了水声信号发生系统中的功率放大电路，可将前级电路产生的方波信号转换为正弦信号，同时进行滤波、功率放大，使其满足换能器对输入信号的要求。该电路以单片机AT89C52，集成6阶巴特沃思低通滤波芯片MF6以及大功率运算放大器LM12为核心，通过标准RS232接口与PC进行通信，实现信号增益的程控调节，对干扰信号具有良好的抑制作用。经调试该电路工作稳定正常，输出波形无失真，在输出功率以及放大增益、波纹系数等方面均满足设计要求。 This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal， then filtered and power amplification， it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52， 6th order Butterworth filter MF6， hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged， this circuit works stable， the output waveform has no distortion， it meets the design requirement in outprt power， amplifier gain and ripple factor.
上传时间： 2013-11-20
上传用户：qwe1234
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
AD9850信号发生器模块测试程序
上传时间： 2013-11-02
上传用户：a6697238
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
开关电源并联系统中往往存在两个并联电源性能参数不同甚至差异较大的情况，因此不能采用传统的并联均流方案来平均分摊电流，这就需要按各个电源模块的输出能力分担输出功率。基于这种灵活性的需要，本设计在采用主从设置法设计并联均流开关电源的基础上新增加了单片机控制模块，实现了分流比可任意调节、各模块电流可实时监控的半智能化并联开关电源系统。实测结果表明，该并联开关电源系统分流比设置误差小于0.5%，具有总过流和单路过流保护功能。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：guojin_0704
利用四分之三波长折叠微带线与四分之一波长微带线级联，并在输入端口引入四分之一波长短路线，设计出一种新型的超宽带功率分配器。采用奇偶模的方法进行理论分析，导出设计参数方程，并通过HFSS进行仿真优化。仿真和测量结果表明， 输入回波损耗从3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入损耗从2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，从9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。输出端口的回波损耗和隔离度从3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高频的带外抑制在14.2 GHz时达到20 dB。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：1966649934
低功率LED设计的挑战在于实现由监管标准设定的电源调节、 由监管标准指导的能量变换以及通常由市场接受度设定的有效负载控制（其中包括调光保真度）这三者的平衡。 FL7730和FL7732能较好地取得这种平衡，用一个电路即可执行全部三项功能。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：cherrytree6
为研究功率型锂离子电池性能，对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析，由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明，低温下电池的充放电内阻较大，充放电性能衰减显著；常温下电池的内阻较小，充放电温升较小，大电流充放电的容量稳定性好，质量比能量高，作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：清风冷雨
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
