利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
上传时间： 2013-11-17
上传用户：waitingfy
这里本站向大家介绍的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。它的输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：农药锋6
高压双管反激变换器的设计:介绍一种双管反激的电路拓扑，分析了其工作原理，给出了一些关键技术参数的计算公式，设计并研制成功的30W 380V AC5 0H z/510V DC/+15.1 V DC(1A )、+5.2VDC(2A)辅助开关电源具有功率密度高、变换效率高、可靠性高等优良的综合性能。该变换器在高电压输人情况下有重要的应用价值。【关 键 词 】变换器，辅助开关电源，双管反激 [Abstract】 A n e wt opologyfo rd oubles witchfl ybackc onverteris in troduced.Th eo perationp rincipleis a nalyzeda nds ome for mulas for calculating key parameters for the topology are presented. The designed and produced auxiliary switching power supply,i. e. 30W 380V AC5 0H z/5 10V DC/+15.1 V DC《1A )、+5.2 V DC《2A )，hase xcellentc omprehensivep erformances sucha sh ighp owerd ensity, hi ghc onversione fficiencya ndh ighr eliability.Th isc onverterh asim portanta pplicationv aluef orh igh input voltag [Keywords ]converter,au xiliary switchingp owers upply,do ubles witchf lybac
上传时间： 2013-11-01
上传用户：Ants
二次谐波回旋管所需磁场仅为基模的一半，极大地降低了对工作磁场的要求。基于回旋管线性和自洽非线性理论设计了一只0.5 THz回旋管，采用TE56模为工作模式，分析了多项关键参数对注波互作用效率的影响，当其工作电压为49 kV，工作电流为5 A，工作磁场为时9.94 T，效率为22.52%，输出功率可达55 kW。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：haiya2000
设计了Ka波段螺旋线行波管的慢波结构,分析其色散特性曲线和耦合阻抗,对高频系统进行了优化;利用PIC粒子模拟得到在工作频带内饱和输出功率＞73.5 W,增益畸变＜2%,并对试制样管进行了试验,测得在工作频带内输出功率＞45 W,电子效率＞12.5%,采用4级降压收集极后总效率大于40%,最后对模拟结果和实测结果的差异原因进行了简单分析。
上传时间： 2013-12-14
上传用户：米米阳123
高功率充电机控制程序设计。将输入指令和反馈进行比较，然后进行PI运算，再乘上单位的正弦值就变成输入电流需要跟踪的对象，然后将输入电流采样后和它进行滞回比较，比较后就可以给出开关管的开关信号了
上传时间： 2014-01-07
上传用户：banyou
本系统以高效率D类功率放大器为核心，输出开关管以采用高速MOSFET管，连接成互补对称H桥式结构。
上传时间： 2013-12-18
上传用户：trepb001
自己设计的pic单片机开发板源程序和说明书（内有原理图）支持pic16系列28脚和40脚器件。串口输出信息。4个LED数码管驱动；4个LED驱动；4个按键驱动；1个RS232接口；1个RS485接口；板载IIC存储器24C02驱动，；实时时钟；1Wire温度传感器；4通道功率输出驱动；2个继电器驱动；1个蜂鸣器； 2个通道AD转换（使用1个）； 红外收发（保留）； 扩展I/O接口； 按键复位电路； 板载ICSP接口。通过ICD2可在线编程，调试；复用IO均采用拨动开关控制。
上传时间： 2016-08-26
上传用户：wang0123456789
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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以IRS2902S作D类功放驱动，以场效应管做功率放大，那么，栅极所串的二极管有什么作用？如果是为场效应管的栅极放电，但二极管D3，D4的正向电阻远远大于它们所并联的4.7R电阻,有大侠解惑。
上传时间： 2022-02-19
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