太阳能AC模块逆变器是近年来发展非常快的技术，本文提出一种新型的基于反激 变换器的逆变器拓扑结构。该电路结构简单，通过Zeta电路将功率脉动转换成小容量电容上的 电压脉动。大大减小了直流输入侧的低频谐波电流，实现了良好的功率解耦。相比较其他AC模 块逆变器中使用大电容进行功率解耦的方法， 既节省了成本又减小了体积。文中采用峰值电流控 制方案，使逆变器能够输出纯正弦的并网电流波形和单位功率因数。最后通过仿真和实验数据验 证了所提新型逆变器的有效性和可行性。 关键词 光伏系统 AC模块 反激变换器 功率解耦 1 引言 随着全球经济的快速发展，人类对能源的需求 日益增长，传统化石能源的大量消耗使全球面临着 能源危机l1-2]。因此世界各国正在致力于新能源的 开发和使用。太阳能、风能、地热能和潮汐能等能 源形式都可以为人类所利用，而这其中太阳能以其 资源丰富、分布广泛、可以再生以及不污染环境等 优点，受到学者们的高度重视。 太阳能光伏发电是一种将太阳光辐射能通过光 伏效应，经太阳能电池直接转换为电能的新型发电 技术_3 。目前太阳能光伏系统主要分为分散式独 立发电系统和并网式发电系统l4j。其中后者省略 了直流环节的蓄电池组，对电能的利用更加灵活， 具有很好的发展前景。在光伏并网系统中，逆变器 决定着系统的效率以及输出电流波形的质量，是整 个光伏发电系统的技术核心，因此研究开发新型高 效逆变器成为越来越多学者关注的焦点。 光伏逆变器的拓扑结构多种多样，过去主要是 集中式逆变器， 目前应用较多的是串联式逆变器和 多组串联式逆变器[5-7 3。AC模块逆变器是近几年 来比较热门的技术l8。 。在这种系统中，每组光电 模块和一个逆变器集成到一起，形成一个AC模 块，再将所有AC模块的输出并联到一起接入电 网。这样就消除了传统逆变器中，由于逆变器和光 伏模块不匹配而造成的功率损失。
上传时间： 2013-11-04
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DCDC模块电源额定功率与封装的选择与应用
上传时间： 2013-10-08
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随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究，找出其主要噪声源，并给出最小化其输出噪声的一些方法。 表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出，它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性，线性电压稳压器（例如：低压降电压稳压器，LDO），始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。 基本 LDO 拓扑 一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路，其负反馈与内部参考比较，以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。 图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压，以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较，提供栅极驱动电压 VGATE。最后，误差信号驱动输出晶体管 NFET，以对 VOUT 进行调节。 图 1 LDO 负反馈环路 简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集（电压跟随器或者功率缓冲器）。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号，其参考 VREF。在稳定状态下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上传时间： 2013-11-11
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SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。封装形式：SOP8
上传时间： 2013-10-08
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SM8502是应用于小功率AC/DC开关电源系统的高性能离线式功率开关。内置高压功率三极管，采用原边反馈控制技术，在全电压输入范围内实现输出恒压精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系统节省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成过流保护、过压保护、欠压保护、过温保护等完善的保护功能以提高系统的可靠性。SOP8、HDIP4的封装形式。
上传时间： 2013-10-30
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SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路（LEB），SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动，小功率电源配适器，电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等
上传时间： 2013-12-12
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IGBT和MOSFET功率模块应用手册
上传时间： 2013-11-19
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开关功率器件的测试示波器
上传时间： 2013-10-14
上传用户：chongchong1234
对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
上传时间： 2013-12-12
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Q72型晶体管特性图仪器使用说明书
上传时间： 2014-12-24
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