第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 ...
作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 ...
本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上,对EXB841,M57962AL,2SD315A等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉冲电源...
HLW8032 是一款高精度的电能计量 IC,它采用 CMOS 制造工艺,主要用于单相应用。它能够测量线电压和电流,并能计算有功功率,视在功率和功率因素。 该器件内部集成了两个∑-Δ型 AD...
0引言任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中,大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗,这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作,必须保证IGBT的耗散功率...
几十年来在音频领域中,A 类、B 类、AB 类音频功率放大器一直占据“统治”地位,其发展经历了这样几个过程:所用器件从电子管、晶体管到集成电路过程;电路组成从单管到推挽过程;电路形成从变压器输出到OT...
压电器件...
现代光电器件技术及应用...
微波功率合成技术...
激光器件原理与设计...
高功率激光加工及其应用...