SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景
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功率半导体器件:理论及应用,基础知识应用...
本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主...
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G Tmos功率场效应晶体管原理和应用-292页-9.9M.pdf...