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本文展示的是一款基于 AT89S52 单片机与盖革计数管开发设计的个人剂量仪。通过各个功能模块的设计与整机的制作调试最终 制作出了个人剂量的原型机。此次设计制作为今后个人剂量仪的小型化、功能扩展等打下基础。
从基础原理到实验分析，循序渐进讲解80C31单片机在总剂量效应下的电路表现。涵盖辐射环境对芯片性能的影响及应对策略，适合深入理解嵌入式系统可靠性设计。
为保护束流管, BESIII 将使用PIN 硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/ D 转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...
为了深入探索新的物理现象，北京正负电子对撞机重大改造工程 BEPCII 一方面对北京谱仪进行改造（BESIII 工程），改善性能和精度；另一方面也大幅度提高了束流流强和对撞亮度，但这也导致BE
提出了一种由单片机控制的萃取试剂流量控制系统.该系统采用定容式计量腔,以时间作为控制变量,具有结构简单、制作要求不高、易满足耐腐蚀要求、不需机械动力和停电自动阻断试剂的特点.