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制造工艺

制造工艺指制造CPU或GPU的制程,或指晶体管门电路的尺寸,单位为纳米(nm)。主流的CPU制程已经达到了7-14纳米(AMD三代锐龙已全面采用7nm工艺,intel第9代全面采用14nm),更高的在研发制程甚至已经达到了4nm或更高,已经正式商用的高通855已采用7nm制程。[1]
  • 非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

    分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。

    标签: 运放 低通滤波电路 优化设计

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:fnggknj

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257

  • 一种带振幅调节的晶体振荡器

    设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。

    标签: 振幅 调节 晶体振荡器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:maricle

  • 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

    提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。

    标签: gm_ID 可变增益放大器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:笨小孩

  • 2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

    利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终使得该LNA在2~4 GHz波段内增益大于20 dB,噪声小于1.2 dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。

    标签: GHz 波段 低噪声放大器 仿真设计

    上传时间: 2014-07-03

    上传用户:远远ssad

  • 差分数据传输有何区别

    隔离器的主要功能是通过电气隔离栅传送某种形式的信息,同时阻止电流。隔离器采用绝缘材料制造,可以阻止电流,隔离栅两端都有耦合元件。信息通常在传输通过隔离栅之前由耦合元件编码。

    标签: 差分 数据传输

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:王庆才

  • 用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计

    设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除和非线性失真抵消,具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计,芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V,总电流为8 mA,后仿真结果增益为19.2 dB,噪声因子为2.5 dB,输入1 dB压缩点为-5.2 dBm。

    标签: RFID UHF LNA 阅读器

    上传时间: 2014-01-21

    上传用户:kachleen

  • 定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别

    555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠,只需要外接几个电阻、电容,就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。555 定时器的内部包括两个电压比较器,三个等值串联电阻,一个 RS 触发器,一个放电管 T 及功率输出级。它提供两个基准电压VCC /3 和 2VCC /3 555 定时器的功能主要由两个比较器决定。两个比较器的输出电压控制 RS 触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压,当 5 脚悬空时,则电压比较器 A1 的反相输入端的电压为 2VCC /3,A2 的同相输入端的电压为VCC /3。若触发输入端 TR 的电压小于VCC /3,则比较器 A2 的输出为 1,可使 RS 触发器置 1,使输出端 OUT=1。如果阈值输入端 TH 的电压大于 2VCC/3,同时 TR 端的电压大于VCC /3,则 A1 的输出为 1,A2 的输出为 0,可将 RS 触发器置 0,使输出为 0 电平。

    标签: 7555 7556 555 556

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:PresidentHuang

  • 基于第二代电流传输器的积分器设计

    介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 μm工艺参数,进行Hspice仿真,结果表明:电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04~1.15 V,电流跟随的线性范围为-9.02~6.66 mA,iX/iZ的-3 dB带宽为1.6 GHz。输出信号的幅度以20dB/decade的斜率下降,相位在低于3 MHz的频段上保持在90°。

    标签: 电流传输器 积分器

    上传时间: 2014-06-20

    上传用户:lvchengogo