冷热表
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表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
摘 要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光
2023-11-25
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电子设备热设计与热分析
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2022-08-18
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QBT 1239-1991 快热式电热水器.pdf
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【1】标准规范(国标、行标、安规、规范)->【行标】->QBT 1239-1991 快热式电热水器.pdf
2024-09-06
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