MAX220–MAX249系列线驱动器/接收器，专为EIA/TIA- 232E以及V.28/V.24通信接口设计，尤其是无法提供±12V 电源的应用。 这些器件特别适合电池供电系统，这是由于其低功耗 关断模式可以将功耗减小到5μW以内。MAX225、 MAX233、MAX235以及MAX245/MAX246/MAX247 不需要外部元件，推荐用于印刷电路板面积有限的 应用。
上传时间： 2013-12-28
上传用户：璇珠官人
基于MSP430的风机状态监测板原理图 使用485通讯，利用继电器实现对风机的关断和开启
上传时间： 2013-12-31
上传用户：z754970244
在控制单元的开关调整元件（T1）接通期间，能量流进贮能单元（C12）进行储能，当开关调整元件关断时，存储在电容里的能量通过滤波直接给负载供电，取样电路对输出电压进行取样，反馈到运放比较的输入端，运放电路将取样电压与PWM输出电压进行比较，比较之后输出一定脉宽给控制单元，控制开关调整元件的导通时间，从而控制储能输出，使输出值与预设值相等，减小误差。同时，通过取样电路对输出取样，送至单片机，经过内部模数转换，按键切换时，LED便可显示实际输出值
上传时间： 2013-12-21
上传用户：皇族传媒
设计制作一个路灯自动照明的控制电路，当日照光亮到一定程度时使路灯自动熄灭，而日照光暗到一定程度时又能自动点亮，开启和关断的日照光亮度根据用户的要求进行调节。设计计时电路，显示路灯当前一次的连续开启时间，设计计数显示电路，统计路灯的开启次数。
上传时间： 2014-11-27
上传用户：moshushi0009
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅 ”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
标签： 双向可控硅实用电路500例
上传时间： 2015-05-07
上传用户：66998877
详细分析了一种新颖的Boost 软开关变换器，在传统的Boost 变换器基础上加上缓冲元件电感和电容，从而实现开关管的零电流开通和零电压关断。提出了基于DSP 的新型控制算法，该算法仅需在一个开关周期内采样负载电流和输入电压来计算占空比，实现功率因数校正（PFC）的目的，控制简单，实时性好。实验结果表明，该新型的变换器工作在软开关模式下，并且实现输入侧的单位功率因数。
上传时间： 2016-04-27
上传用户：CAmuxue
BUCKBOOST电路原理分析uck变换器：也称降压式变换器，是一种输出电压小于输入电压的单管不隔离直流变换器。 图中，Q为开关管，其驱动电压一般为PWM(Pulse、width、modulation脉宽调制)信号，信号周期为Ts，则信号频率为f=1/Ts，导通时间为Ton，关断时间为Toff，则周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost变换器：也称升压式变换器，是一种输出电压高于输入电压的单管不隔离直流变换器。 开关管Q也为PWM控制方式，但最大占空比Dy必须限制，不允许在Dy=1的状态下工作。电感Lf在输入侧，称为升压电感。Boost变换器也有CCM和DCM两种工作方式 Buck/Boost变换器：也称升降压式变换器，是一种输出电压既可低于也可高于输入电压的单管不隔离直流变换器，但其输出电压的极性与输入电压相反。Buck/Boost变换器可看做是Buck变换器和Bo
上传时间： 2021-10-18
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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HX3330B 是一款内置 100V 功率 NMOS 高效率高 精度开关升压型大功率 LED 恒流驱动芯片。HX3330B 采用固定关断时间的锋值电流控制方式，关断时间 可以通过外部电容进行调节，工作频率可以根据用 户要求而改变。 HX3330B 通过调节外置的电流采样电阻，能控 制高亮度的 LED 灯的驱动电流，使 LED 灯亮度达到 预期恒定亮度。 HX3330B 在 EN 端加 PWM 信号，可以进行 LED 灯 调光。HX3330B 内部还集成了 VDD 稳压管，软启动 及过温保护电路灯，减少外围元件并提高了系统的 可靠性。HX3330B 并采用了 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。
标签： HX3330B
上传时间： 2021-11-05
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ME2215是一款工作于连续模式的电感降压转换器，可以使用比LED电压高的电源，来驱动一个或数个串联的LED。ME2215可以使用6V-36V的电源，并通过外置可调电阻，最大实现1A的电流。设置合适的电源和外围器件，ME2215最大输出功率可以达到30W。ME2215电路包括内置开关和高侧电流检测电路，可以利用外置电阻来设置平均输出电流。通过控制VSET管脚，可以调节输出电流低于设定值。VSET管脚可以使用DC或者PWM信号来控制。可以通过在VSET管脚对地接入外置电容，实现增加软启动时间。当VSET电压低于0.2v，关断开关，器件进入低功耗的待机状态。
标签： ME2215
上传时间： 2021-11-05
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