一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅 ”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
标签： 双向可控硅实用电路500例
上传时间： 2015-05-07
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实验源代码 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("请输入矩阵第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可传递闭包关系矩阵是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元关系的可传递闭包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("请输入矩阵的行数 i: "); scanf("%d",&k); 四川大学实验报告 printf("请输入矩阵的列数 j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
上传时间： 2016-06-27
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#include "iostream" using namespace std; class Matrix { private: double** A; //矩阵A double *b; //向量b public: int size; Matrix(int ); ~Matrix(); friend double* Dooli(Matrix& ); void Input(); void Disp(); }; Matrix::Matrix(int x) { size=x; //为向量b分配空间并初始化为0 b=new double [x]; for(int j=0;j<x;j++) b[j]=0; //为向量A分配空间并初始化为0 A=new double* [x]; for(int i=0;i<x;i++) A[i]=new double [x]; for(int m=0;m<x;m++) for(int n=0;n<x;n++) A[m][n]=0; } Matrix::~Matrix() { cout<<"正在析构中~~~~"<<endl; delete b; for(int i=0;i<size;i++) delete A[i]; delete A; } void Matrix::Disp() { for(int i=0;i<size;i++) { for(int j=0;j<size;j++) cout<<A[i][j]<<" "; cout<<endl; } } void Matrix::Input() { cout<<"请输入A:"<<endl; for(int i=0;i<size;i++) for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<i+1<<"行"<<"第"<<j+1<<"列:"<<endl; cin>>A[i][j]; } cout<<"请输入b:"<<endl; for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<j+1<<"个:"<<endl; cin>>b[j]; } } double* Dooli(Matrix& A) { double *Xn=new double [A.size]; Matrix L(A.size),U(A.size); //分别求得U，L的第一行与第一列 for(int i=0;i<A.size;i++) U.A[0][i]=A.A[0][i]; for(int j=1;j<A.size;j++) L.A[j][0]=A.A[j][0]/U.A[0][0]; //分别求得U，L的第r行，第r列 double temp1=0,temp2=0; for(int r=1;r<A.size;r++){ //U for(int i=r;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp1=temp1+L.A[r][k]*U.A[k][i]; U.A[r][i]=A.A[r][i]-temp1; } //L for(int i=r+1;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp2=temp2+L.A[i][k]*U.A[k][r]; L.A[i][r]=(A.A[i][r]-temp2)/U.A[r][r]; } } cout<<"计算U得:"<<endl; U.Disp(); cout<<"计算L的:"<<endl; L.Disp(); double *Y=new double [A.size]; Y[0]=A.b[0]; for(int i=1;i<A.size;i++ ){ double temp3=0; for(int k=0;k<i-1;k++) temp3=temp3+L.A[i][k]*Y[k]; Y[i]=A.b[i]-temp3; } Xn[A.size-1]=Y[A.size-1]/U.A[A.size-1][A.size-1]; for(int i=A.size-1;i>=0;i--){ double temp4=0; for(int k=i+1;k<A.size;k++) temp4=temp4+U.A[i][k]*Xn[k]; Xn[i]=(Y[i]-temp4)/U.A[i][i]; } return Xn; } int main() { Matrix B(4); B.Input(); double *X; X=Dooli(B); cout<<"~~~~解得:"<<endl; for(int i=0;i<B.size;i++) cout<<"X["<<i<<"]:"<<X[i]<<" "; cout<<endl<<"呵呵呵呵呵"; return 0; }
标签： 道理特分解法
上传时间： 2018-05-20
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lm75A温度数字转换器 FPGA读写实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档资料,FPGA为CYCLONE4系列中的EP4CE6E22C8. 完整的工程文件，可以做为你的学习设计参考。LM75A 是一个使用了内置带隙温度传感器和模数转换技术的温度数字转换器。它也是一个温度检测器，可提供一个过热检测输出。LM75A 包含许多数据寄存器：配置寄存器用来存储器件的某些配置，如器件的工作模式、OS 工作模式、OS 极性和OS 故障队列等（在功能描述一节中有详细描述）；温度寄存器（Temp），用来存储读取的数字温度；设定点寄存器（Tos & Thyst），用来存储可编程的过热关断和滞后限制，器件通过2 线的串行I2C 总线接口与控制器通信。LM75A 还包含一个开漏输出（OS），当温度超过编程限制的值时该输出有效。LM75A 有3 个可选的逻辑地址管脚，使得同一总线上可同时连接8个器件而不发生地址冲突。LM75A 可配置成不同的工作条件。它可设置成在正常工作模式下周期性地对环境温度进行监控或进入关断模式来将器件功耗降至最低。OS 输出有2 种可选的工作模式：OS 比较器模式和OS 中断模式。OS 输出可选择高电平或低电平有效。故障队列和设定点限制可编程，为了激活OS 输出，故障队列定义了许多连续的故障。温度寄存器通常存放着一个11 位的二进制数的补码，用来实现0.125℃的精度。这个高精度在需要精确地测量温度偏移或超出限制范围的应用中非常有用。正常工作模式下，当器件上电时，OS 工作在比较器模式，温度阈值为80℃，滞后75℃，这时，LM75A就可用作一个具有以上预定义温度设定点的独立的温度控制器。module LM75_SEG_LED ( //input input sys_clk ,input sys_rst_n ,inout sda_port ,//output output wire seg_c1 ,output wire seg_c2 ,output wire seg_c3 ,output wire seg_c4 ,output reg seg_a ,output reg seg_b ,output reg seg_c ,output reg seg_e ,output reg seg_d ,output reg seg_f ,output reg seg_g ,output reg seg_h , output reg clk_sclk );//parameter define parameter WIDTH = 8;parameter SIZE = 8;//reg define reg [WIDTH-1:0] counter ;reg [9:0] counter_div ;reg clk_50k ;reg clk_200k ;reg sda ;reg enable ;
上传时间： 2021-10-27
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HX3330B 是一款内置 100V 功率 NMOS 高效率高 精度开关升压型大功率 LED 恒流驱动芯片。HX3330B 采用固定关断时间的锋值电流控制方式，关断时间 可以通过外部电容进行调节，工作频率可以根据用 户要求而改变。 HX3330B 通过调节外置的电流采样电阻，能控 制高亮度的 LED 灯的驱动电流，使 LED 灯亮度达到 预期恒定亮度。 HX3330B 在 EN 端加 PWM 信号，可以进行 LED 灯 调光。HX3330B 内部还集成了 VDD 稳压管，软启动 及过温保护电路灯，减少外围元件并提高了系统的 可靠性。HX3330B 并采用了 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。
标签： HX3330B
上传时间： 2021-11-05
上传用户：1208020161
开关电源中的开关管从导通到截止，严格来说是一个非常复杂的过程，但我们在进行工作原理分析的时候，一般都会先对一些非主要问题进行简单化。例如，当电源开关管导通或截止的时候，我们就把它看成是一个理想的开关，其工作时只有两种状态，通或断。但实际上开关管的导通和关断都是一个很复杂的过程，它除了通或断之外，还有一个在高频时不能忽视的问题，就是开关管导通时，是从截止区到放大区，然后再由放大区到饱和区的工作过程。这个工作过程需要用微分方程才能求解，在这里我不想对你介绍得太复杂。
标签： 开关电源
上传时间： 2021-12-04
上传用户：trh505
文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程，MOS管各参数之间的联系，损耗计算及驱动电路设计，非常利于MOS管学习的启蒙.
上传时间： 2021-12-05
上传用户：kent
高效率7.6 V, 700 mA隔离式LED驱动器.pdf设计特色精确的初级侧恒压／恒流控制器(CV/CC)省去了光耦器和所有次级侧CV/CC控制电路无需电流检测电阻，即可达到最高效率使用元件少、低成本的解决方案自动重启动保护功能可在输出短路或开环条件下可将输出功率降低到95%以下迟滞热关断功能可防止电源损坏满足CEC及能源之星2.0效率要求：
上传时间： 2021-12-09
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数字化电源的特点：1.控制智能化它是以数字信号处理器(DSP)或微控制器(MCU)为核心，将数字电源驱动器及PWM控制器作为控制对象而构成的智能化开关电源系统。传统的由微控制器控制的开关电源，一般只是控制电源的启动和关断，并非真正意义的数字电源。2.数模组件组合优化采用“整合数字电源”(Fusion Digital Power)技术，实现了开关电源中模拟组件与数字组件的优化组合。例如，功率级所用的模拟组件MOSFET驱动器，可以很方便地与数字电源控制器相连并实现各种保护及偏置电源管理，而PWM控制器也属于数控模拟芯片。3.集成度高实现了电源系统单片集成化(Power System on Chip)，将大量的分立式元器件整合到一个芯片或一组芯片中。4.控制精度高能充分发挥数字信号处理器及微控制器的优势，使所设计的数字电源达到高技术指标。例如，其脉宽调制(PWM)分辨力可达150ps(10~12s)的水平，这是传统开关电源所望尘莫及的。数字电源还能实现多相位控制、非线性控制、负载均流以及故障预测等功能，为研制绿色节能型开关电源提供了便利条件。5.模块化程度高数字电源模块化程度高，各模块之间可以方便地实现有机融合，便于构成分布式数字电源系统，提高电源系统的可靠性。
标签： 全数字电源
上传时间： 2021-12-13
上传用户：XuVshu
超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明，这两种材料都具有较好的介电温度稳定性，P41具有明显的铁电体相变特点，PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性，同时缩短了极化时间，提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm，120 ℃极化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性，探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明，电机具有较好的瞬态特性，启动时间ams，关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快，与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关，说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时，P41电机的Qm较小而Aar比较大（TRUM-60 1型电机），具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高，最终在某一温度下稳定运转，采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机（TRLIM6011电机），与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关，因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大，不同尺寸电机具有不同的驱动性能.
上传时间： 2022-06-18
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