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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变...

📅 👤 88mao

为了解决电力系统谐波检测中存在的检测精度低的问题,提出一种改进的全相位时移相位差频谱校正算法,消除了相位值对采样中心样点的依赖性。将该算法用于电网含有谐波以及间谐波的测量分析,结果表明该算法在中高信噪比情况下相位误差小于1°,具有估计精度高且稳定性好的特点。 ...

📅 👤 dajin

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