一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
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电力系统谐波检测全相位频谱分析研究
为了解决电力系统谐波检测中存在的检测精度低的问题，提出一种改进的全相位时移相位差频谱校正算法，消除了相位值对采样中心样点的依赖性。将该算法用于电网含有谐波以及间谐波的测量分析，结果表明该算法在中高信噪比情况下相位误差小于1°，具有估计精度高且稳定性好的特点。 ...
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