光源工艺
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一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...
2014-12-03
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电子工艺及电子工程设计 226页 5.6M.pdf
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量(可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管)->【工艺】->电子工艺及电子工程设计 226页 5.6M.pdf
2023-04-25
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