一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
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该文档为一种基于ARM7的工业测控板的研究总结文档，本设计以嵌入式控制系统为目标，实现了多路ＡＤ采集、ＤＡ输出、ＴＬＶ５６３０ＩＤＷ寄存器。数据存储等功能，并能提供多总线通讯。实验表明，系统ＡＤ／ＤＡ转换精度高、使用灵活，效果良好。ＤＩ通道将经过光耦隔离后的输入端子接在ＡＴ９ｌＳＡＭ７Ｓ６４的Ｉ／Ｏ
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5V USB扁口接口TP4055锂离子电池充电接口板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，2层B板手设计，大小为33*18mm,，可以做为你的学习设计参考。TP4055 是一款完整的单节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定 电流/恒定电压线性控制。其 SOT 封装与较少的外部元件数目使得 TP4055 成为便携式应 用的理想选择。TP4055 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和 隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件 下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部 设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，TP4055 将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，TP4055 自动进入一个低电流状 态，电池漏电流在 2uA 以下。TP4055 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自 动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
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21世纪大学新型参考教材系列 集成电路B 荒井
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家电维修(最基础的教程B)1-20.Torrent
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jk-b交通信号控制机原理图
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G jk-b交通信号控制机原理图-1.3M.zip
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专辑类-电子基础类专辑-153册-2.20G 21世纪大学新型参考教材系列-集成电路B-荒井-159页-2.8M.pdf
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三次B样条曲线源代码,C语言编写的三次B样条曲线源代码，希望大家喜欢。
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