一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...
ME6206是一款低功耗、低压差的CMOS降压型电压稳压器,具备高纹波抑制率和过流短路保护功能。静态电流低至8.0μA,支持250mA输出电流,在输入输出压差极小的情况下仍保持良好调整率,适用于延长电池寿命的便携设备和工业应用。
In an increasing trend, telecommunications, networking,audio and instrumentation require low noise power suppli...