v开关电源拓扑结构综述 v开关电源分类 v非隔离式拓扑举例 BUCK BOOST BUCK-BOOST v隔离式拓扑举例 正激式 反激式
上传时间： 2013-10-12
上传用户：manlian
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
人们经常需要从旋转部件和其它运动机件上获取各类技术参数。随着电子技术的发展, 非接触测量技术越来越显示其优越性, 虽已在工程领域获得了广泛应用, 但是普遍存在供电问题, 目前非接触供电常用的有四种形式
上传时间： 2013-10-20
上传用户：lepoke
利用推挽正激变换技术设计了DC /DC开关电源。提出了基于推挽正激变换技术的电源电路拓扑和结构,阐述了该开关电源的工作及控制原理,并利用PSp ice软件对该电路拓扑进行了仿真。实验结果表明,该开关电源输出稳定、波形理想。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：363186
提出了一种24V/15A 直流变换器的设计方法。主电路采用推挽正激电路，通过在传统推挽电路的基础上增加一个箝位电容，起到抑制偏磁和开关管关断电压尖峰的作用。控制采用峰值电流控制方式（Peak CurrentControlled Model，简称PCCM），为了克服其对占空比要求的限制，加入了斜坡补偿环节。在进行详细的理论分析基础上，给出了主电路和控制电路一些关键参数的设计步骤；最后通过原理样机的研制，验证了理论分析的正确性。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：dick_sh
1、优点：结构简单，驱动电路简单，输出纹波电流小适用于低电压大电流输出，易于多路输出，可靠性高。2、缺点：变压器单向励磁，利用率低，EMI不好处理，并联工作需要均衡电路。 正激变换器基本结构图
上传时间： 2014-12-21
上传用户：taozhengxin
基于超声波技术的非接触测距装置
上传时间： 2013-11-07
上传用户：cylnpy
卡尔曼滤波（非矩阵）参考程序
上传时间： 2013-11-18
上传用户：ch3ch2oh
51单片机步进电机正反转停止实验
上传时间： 2013-11-20
上传用户：yiwen213
该应用报告描述了旋转检测器的实现，该旋转检测器使用一对可检测磁场的巨磁阻GMR（Giant Magneto-Resistive,）传感器。传感器的分布使它们不使用正交信号序列，这提供了讨论非正交情况如何配置SIF的机会。讨论了调试SIF应用程序的技术，提供了一个设计非正交进程状态机（processing state machines）的工具。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：sammi
