全面的模电解析，有助于入门提高
标签： 模电
上传时间： 2013-10-14
上传用户：zhang97080564
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ZOULIN58
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
课程目标：培养学生设计与实作电子电路的基本能力。 课程内容：电子仪表的认识与使用 电晶体电路 PSPICE电路模拟软体 线性基体电路 二级体电路
上传时间： 2013-10-20
上传用户：zukfu
模电
上传时间： 2013-11-05
上传用户：rishian
本文以介质谐振器为起始，研究了介质谐振腔体滤波器的设计。文章首先介绍了介质谐振器基本的工作原理，围绕模式分离与Q值提高研究了实际介质腔体滤波器中常用的工作在TE01模的介质谐振器的基本特性，并在此基础上提出了一种新的介质谐振器结构，进一步提高介质谐振器模式分离度的同时，也提高了主模的品质因数。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：xhz1993
AD内电层与内电层分割教程。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：ks201314
内电层与内电层分割
上传时间： 2013-11-12
上传用户：23333
随着现代电子科技的发展, 大规模集成电路迅速普及，芯片逐渐向高速化和集成化方向发展, 其体积越来越小，频率越来越高，电磁辐射随其频率的升高成平方倍增长，使得各种电子设备系统内外的电磁环境愈加复杂,对PCB 设计中的电磁兼容技术要求更高。PCB 电磁兼容设计是否合理直接影响设备的技术指标，影响整个设备的抗干扰性能，直接关系到整个系统的可靠性和稳定性。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：540750247
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上传时间： 2014-01-20
上传用户：苍山观海
