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与<b>非门</b>电路

  • 高等学校试用教材 脉冲与数字电路 上册

    挺有用的高等学校试用教材 脉冲与数字电路 上册。

    标签: 教材 脉冲 数字电路

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:sunchao524

  • 基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    标签: MOS N沟道 H桥驱动 电路设计

    上传时间: 2014-08-01

    上传用户:1109003457

  • Arduino学习笔记A10_Arduino数码管骰子实验

    电路连接 由于数码管品种多样,还有共阴共阳的,下面我们使用一个数码管段码生成器(在文章结尾) 去解决不同数码管的问题: 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管:型号D5611 A/B,在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11,引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意: 1. 将数码管的a~g 段,分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话,可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话,接220Ω电阻到电源负极;共阳的话,接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定,不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。   源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的,所以不用修改段码生成器了,直接在段码生成器选择共阳极,再按“自动”生成数组就搞定。   下面是源代码,由于偷懒不用写循环,使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句,8 位对应D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表,表中十个元素由LED 段码生成器生成,选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位,即Arduino 的引脚D0~D6,这样需要取出PORTD 最高位,即 D7的状态,与段码相加,之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平,则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }      

    标签: Arduino 10 数码管 实验

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:baitouyu

  • 门电路_数字电路基础

    数字电路基础 课程 介绍门电路

    标签: 门电路 数字电路基础

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:s363994250

  • 电路设计与调试讲义

    模拟电路的调试技巧与细节处理

    标签: 电路设计 调试 讲义

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:mnacyf

  • 模拟电路与数字电路 林捷

    模拟与数字电路基础

    标签: 模拟电路 数字电路

    上传时间: 2013-11-25

    上传用户:wmwai1314

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • CMOS和TTL电路探讨

    通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

    标签: CMOS TTL 电路

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:DE2542

  • 微小信号采集电路的设计与研究

    微小信号采集电路的设计与研究

    标签: 小信号 采集电路

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:Andy123456

  • 电路设计与制版Protel99高级应用

    电路设计与制版Protel99高级应用

    标签: Protel 99 电路设计

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:13517191407