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技术资料 基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器
基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo
技术资料 SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015)
该文档为SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015)总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
技术资料 RDHP-1901 - SCALE-iDriver SIC1182K的通用基板
RDHP-1901 - SCALE-iDriver SIC1182K的通用基板：下载设计
编辑器/阅读器 SIC_XE程式Pass 1:先對每個Source statement做定location
SIC_XE程式Pass 1:先對每個Source statement做定location，Pass 2：對每個細項做不同的處理，算出object code，最後轉成machine code輸出。
技术资料 半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需 ...
技术资料 基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟
提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型，利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能，模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性，结果与实验数据吻合很好，较好地解释了Pd-S
技术资料 SiC MOSFET LLC谐振变换器移相控制特性分析，浙江大学硕士学位论文
SiC+MOSFET+LLC谐振变换器移相控制特性分析.本文介绍了LLC谐振变换器的设计过程，设计了15kW两路交错并联LLC谐振变换器。介绍了交错并联LLC谐振变换器的移相均流控制原理，通过实验分析了参数误差对交错并联LLC谐振变换器的影响。 ...
手机彩信(MMS)编程 blast检测方案
blast检测方案，比价了ZF,MMSE,ZF-SIC,MMSE-SIC四种检测算法的性能
技术资料 碳化硅电力电子器件的发展现状分析
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50 ...
技术资料 智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603
电动汽车、SiC功率管发展趋势