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技术资料  长虹CHD29156机芯EPROM数据

长虹CHD29156机芯EPROM数据

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29156 EPROM

技术资料  长虹CHD3495机芯EPROM数据

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EPROM 3495

技术资料  长虹CHD2995机芯EPROM数据

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EPROM 2995

行业应用文档  长虹H2199KB机芯EPROM数据

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H2199 EPROM 2199 KB

行业应用文档  长虹SF2911F机芯EPROM数据

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2911F EPROM 2911 SF

可编程逻辑  用GAL、EPROM设计测量显示控制装置

本文提出j以通用阵列逻辑器件GAL 和只读存贮器EPROM 为核心器件．设计测量显示控制装置的方法。配以数字式传感器及用最小二乘法编制的曲线自动分段椒合程序生成的EPROM 中的数据．可用于力、温度、光强等非电量的测量显示和控制。该装置与采用微处理器的电路相比．有相同的洲量精度，电路简单．而且保密性好 ...

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EPROM GAL 测量显示控制

技术资料  EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别

EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是 ...

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eeprom eprom flash sram dram sdram

技术资料  长虹H2199KB机芯EPROM数据

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H2199 EPROM 2199

技术资料  康佳P21se282 EPROM数据

康佳P21se282 EPROM数据

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EPROM

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