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单片机编程 基于P89V51RD2的功率因数测量仪设计
设计一种基于P89V51RD2的功率因数测量仪，采用光电隔离器和专用数码管驱动器。该测量仪是以增强型单片机P89V51RD2为核心，大大简化系统硬件设计。而软件部分采用模块化设计思想，采用中值滤波和小数补偿算法，实现功率因数的高精度测量。实验测试表明，该功率因数测量仪测量精度高，运行稳定可靠。
Abstract:
 A po ...
单片机编程 基于AVR单片机Mega16的电子时钟设计
Mega16是一款采用先进RISC精简指令，内置A/D的8位单片机，可支持低电压联机 Flash和EEPROM 写入功能；同时还支持 Basic和C 等高级语言编程。用它设计电子时钟不仅成本低，硬件简单，而且很容易实现系统移植。介绍了如何利用AVR系列单片机Mega16及1602字符液晶来设计电子时钟的方法，同时给出了相应的电路原理及部分语言程序 ...
无线通信 智能天线技术在基站中的应用
为了能够满足基站易于选址、优质快速的建站要求和易维护、低成本、高可靠的运行要求，本文对以方舱来实现一体化结构基站做出一番探讨。从系统设计的观点阐述了移动通信高性能基站天线设计的几个关键问题，介绍了智能天线技术在基站中的应用，并且用HFSS软件仿真了一种新型的对称阵子天线，该天线驻波比小于2的带宽可以达到6 ...
工控技术 赛灵思电机控制开发套件简介（英文版）
The power of programmability gives industrial automation designers a highly efficient， cost-effective alternative to traditional motor control units （MCUs）。 The parallel-processing power， fast computational speeds， and connectivity versatility of Xilinx® FPGAs can accelerate the impl ...
源码 stm8s模拟iic
void IIC_Init(void)
{                        
    //由于STM8单片机，可以在输入和输出条件下读取IO口状态，故直接设置为输出。
    GPIO_Init(IIC_SCL_PORT, IIC_SCL_PIN, GPIO_MODE_OUT_OD_HIZ_SLOW );
    GPIO_Ini ...
技术资料 PW3130_2.0.pdf规格书下载
The PW3130 series product is a high integration solution for lithium-lion/polymer batteryprotection.PW3130 contains advanced power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits anddelay circuits. PW3130 is put into an ultra-small SOT23-5 package and only one external componentmakes it an ideal so ...
技术资料 一种车载充电器的设计
以AT89S52单片机为控制核心,采用电容降压技术,Buck电路拓扑,PWM驱动模块和功率器件散热设计,通过高速的数据采集、主功率输入输出模块和控制模块,设计一种新型智能车载充电器.在充电过程中,通过负脉冲瞬间放电实现对铅酸蓄电池的再生修复,提高电池的有效容量,延长使用寿命.该充电器体积小、速度快、效率高、可靠性好.With AT ...
技术资料 MT7688设计AP模块(WL-AM01F-7688)规格书(英文版)
MT7688 family integrates a 1T1R 802.11n Wi-Fi radio,a 580MHz MIPS? 24KEcTM CPU,1-port fast Ethernet PHY, USB2.0 host, PCIe, SD-XC,I2S/PCM and multiple slow IOs. MT7688 provides two operation modes-IoT gateway mode and IoT device mode. In IoT gateway mode, the PCI Express interface can connect to 802 ...
模拟电子 COOLMOS全面认识
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike th ...
模拟电子 在单端应用中采用差分I/O放大器
 
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total outp ...