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模拟电子 基于仿射变换模型的图像跟踪系统的实现

文中设计研制了一种新型的基于仿射变换模型的实时图像跟踪系统。本跟踪系统已经通过实践检验,能够稳定的、准确的、快速的跟踪目标。并且系统有很大的升级潜力,除了能够满足仿射变换跟踪的要求之外,还能适用于其他的一些算法,构成鲁棒性更强的图像跟踪系统。实践证明该跟踪系统性能优于经典的相关跟踪系统。 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20776.html
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模拟电子 基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法

为了提高图像去噪效果,提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移,使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理,然后将降噪后的图像进行循环反平移,最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理,以减少去噪后图像的失真。实验结果表明,该方法不仅可以提高降噪后 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20811.html
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模拟电子 基于EEMD的故障微弱信号特征提取研究

总体平均经验模式分解(EEMD)方法是一种先进的时频分析方法,非常适合于对非平稳故障微弱信号的分析处理。文中介绍了EEMD方法的原理与算法实现步骤,重点分析了EEMD方法避免模式混淆的机理。利用EEMD方法对齿轮箱振动信号进行分析,成功提取了小齿轮磨损故障特征,验证了EEMD方法在故障微弱信号特征提取的有效性。 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20830.html
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模拟电子 FPU加法器的设计与实现

浮点运算器的核心运算部件是浮点加法器,它是实现浮点指令各种运算的基础,其设计优化对于提高浮点运算的速度和精度相当关键。文章从浮点加法器算法和电路实现的角度给出设计方法,通过VHDL语言在QuartusII中进行设计和验证,此加法器通过状态机控制运算,有效地降低了功耗,提高了速度,改善了性能。 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20930.html
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模拟电子 平行耦合微带线带通滤波器的设计

平行耦合微带线带通滤波器在微波电路系统中广泛应用。为了提高带通滤波器性能,缩短设计周期,采用奇偶模原理分析与ADS(Advanced Design System)仿真相结合的方法,设计出一个中心频率为2.5 GHz,相对带宽为10%的平行耦合微带线带通滤波器。进一步优化参数,得到电路版图。最终结果证明,这种方法具有设计周期短、可靠性 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21166.html
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模拟电子 基于遗传算法的组合逻辑电路设计的FPGA实现

基于遗传算法的组合逻辑电路的自动设计,依据给出的真值表,利用遗传算法自动生成符合要求的组合逻辑电路。由于遗传算法本身固有的并行性,采用软件实现的方法在速度上往往受到本质是串行计算的计算机制约,因此采用硬件化设计具有重要的意义。为了证明基于FPGA的遗传算法的高效性,设计了遗传算法的各个模块,实现了基于 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21286.html
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电源技术 基于复合型单开关PFC预调节器的设计

为了解决计算机系统电源保持时间问题,确保输出电压在一段时间稳定在一定范围内。确保计算机在出现输入故障是有足够的时间备份数据或者切换到不间断电源(UPS)下工作。为此提出了一种复合型单开关PFC预调器、并根据需求进行了设计,该设计可以减小储能电容的容量,使输出电流谐波满足IEC1000-302的要求。 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/22544.html
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电源技术 EE型松耦合变压器的精确磁路模型和仿真分析

介绍电动汽车感应充电系统松耦合变压器的特性,通过Ansoft有限元分析软件对松耦合变压器进行仿真分析,结合简化磁路模型和磁力线分布,得出大气隙下的EE磁芯的精确模型。结合精确模型和模拟结果,给出横截面积对耦合系数的影响,实际制作变压器,测量发现,面积增加,耦合系数得到提高,输出电压能力增强,为松耦合变压器的 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/22547.html
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电源技术 电流型PWM整流器的控制器设计

电流型PWM整流器因其良好的功率因数和直流电流源特性,可望在某些场合取代产生大量谐波的二极管或晶闸管相控整流装置,但是由于其本身的强耦合非线性特性,使得变流器常采用复杂的直接电流控制策略,从而使控制器的设计非常复杂。文中提出一种改进的基于d-q坐标系的间接电流控制方法,在电网电压平衡情况下,通过解耦控制, ...
https://www.eeworm.com/dl/505/22607.html
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电源技术 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR) ...
https://www.eeworm.com/dl/505/22696.html
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