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找到约 1,521 项符合 CMOS工艺 的查询结果

模拟电子 CMOS和TTL电路探讨

通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度- ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21292.html
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模拟电子 CMOS器件抗静电措施的研究

由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21310.html
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模拟电子 低功耗高速跟随器的设计

提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21384.html
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模拟电子 CMOS闩锁效应

闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路
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模拟电子 Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21440.html
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模拟电子 CMOS模拟开关工作原理

开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合,只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用CMOS模 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21454.html
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PCB相关 PCB设计基本工艺要求

PCB工艺要求
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PCB相关 BGA焊球重置工艺

BGA焊球重置工艺
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PCB相关 深圳兴达线路板有限公司PCB工艺流程图

深圳兴达线路板有限公司PCB工艺流程图。
https://www.eeworm.com/dl/501/21998.html
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PCB相关 PCB制造工艺

介绍了PCB的制造工艺,让大家更能较为深入的了解PCB的制作过程···
https://www.eeworm.com/dl/501/22010.html
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