测试说明.txt

来自「FPGA的SRAM存储器的控制程序」· 文本 代码 · 共 8 行

SW的低八位控制数据输入，通过LEDG指示
高10位控制地址输入，通过LEDR显示
KEY[0]控制写入，低电平有效

程序默认运行在读SRAM状态，这是通过改变地址，SRAM中相应的数据会显示在七段数码管上。
要写入数据时：
首先设置好输入地址（设为A）和输入数据（设为B），按下KEY[0]，这时输入数据会显示在数码管上，松开KEY[0]，一次写操作完成。
这时改变地址（不等于A），数码管显示不同值（不等于B），然后再把地址拨回A，数码管会显示B，这样验证了测试程序的正确性。