Semiconductor Material and Device Characterization（Schroder）3Ed
第三代半导体材料-GaN的结构、特性分析
资料详细技术说明
GaN这是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
相关技术资料推荐
下载与解压说明
下载积分规则
- 本资源下载仅需 2 积分
- 24 小时内重复下载免扣积分
- VIP 会员享专属免积分高速通道
文件解压指南
- 推荐使用 7-Zip 或新版 WinRAR 解压
- 原理图与 PCB 请使用对应 EDA 软件打开
- 压缩包内源码可直接在上方在线预览
免费获取积分
- 新用户注册即赠送 10 积分
- 上传分享工程资料可获得持续积分奖励
- 查看积分规则与会员权益 →