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SIPMOS晶体管互补达林顿控制电路图
SIPMOS晶体管互补达林顿控制电路图
发布时间:
2013-09-20 19:50
浏览:
40
标签:
SIPMOS
晶体管
控制电路图
达林顿
在TDA4700的输出晶体管导通时T1也导通,其射极电流由R3限制,并经由D3控制T3。同时T2基极对发射极为正,故T2截止,T4也截止。若SIPMOS的输出晶体管截止,则T1、T3截止。SIPMOS晶体管的输入电容经T2、R4充电,于是T4由T2控制,加速了放电过程。
该电路优点是吸收的电流很小,而控制的电流又很大,特别适于有高开关频率的并联运行电路。
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