CMOS与非门构成的压控振荡器电路图

  如图是用CMOS与非门构成的压控振荡器电路。Ct由可调Cx代替，Rt由用VA调节的NMOS管代替。Rt变化范围从1k到10k，其最小值被并联的R1（10k）和NMOS管所决定。NMOS一般从1k到10 5k。当VA=Vs，N沟器件截止，则Rt=R1=10k。当VA=Vdd，NMOS管充分导通，Rt=1k。这种振荡器的中心频率可以通过Cx来调节。