功率MOSFET的数据表中，有些产品如超结的高压功率MOSFET通常会列出输出电容的三个特征值：静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)，而低压和中压的产品以及平面的高压MOSFET很少列出后面的二个电容值，这主要和不同工艺的MOSFET的结构和电容特性有关，下面分别进行说明。
1、静态输出电容Coss
数据表中列出的静态输出电容Coss通常是在一个固定的偏置电压下的测试值，同时数据表还会列出Coss随VDS电压变化的曲线。从曲线可以看到，随着偏置电压VDS的增加，Coss会逐渐的降低。
AON6512
超结结构的高压功率MOSFET，Coss会急剧的降低到一个值，然后再缓慢的降低。Crss会急剧的降低到一个最小值，然后再缓慢的增加。
IPP60R04C7
低压和平面结构的功率MOSFET在0V偏置电压条件下，Coss比额定的高偏置电压大数倍或数十倍，而对于超结的高压MOSFET，大数百倍，其测试电路所图1所示。如：AON6512，Coss(0V)/Coss(30V)=5；IPP60R04C7，Coss(0V)/Coss(400V)=500。
超结结构Coss和Crss的这种特性，会带来许多应用的问题。
图1：静态输出电容Coss测量电路
测试条件：VGS=0V，不同的产品设定的VDS偏置电压不相同，通常是50%或80%的BVDSS，不同的公司，产品测试时使用的频率也不相同，常用的测试频率有：250KHz、1MHz或 4MHz。电路中，CK的取值为1uF、2uF或其它值。二个串联电阻取值为 1M、620K或其它值。
80% BVDSS的Coss静态电容，就是偏置电压VDS=80%*BVDSS时，Coss的电容值。
2、时间相关输出电容Coss(tr)
时间相关输出电容Coss(tr)是指偏置电压从0上升至80%的BVDSS时（80%BVDSS是一个常用的测试条件），在充电时间相同的条件下，折算成一个等效的固定电容值， 其含义和80% BVDSS的Coss静态电容具有不同的值、不同的含义。
测试电路如图所示，测试的器件为Q2，如果Q2的BVDSS=500V，当Q1加驱动电压，Q1开通，电源VDD通过R对Q2充电，通过示波器测量的波形，可以读出VDS电压从0上升到400V所对应的时间tc：
若R=100KOhm，折算成时间相关等效电容Coss(tr)为：
Coss(tr)不考虑电容随电压的变化的过程，只考虑前后整体的等效时间，在一些谐振变换器的电源结构中，用这个电容值计算时间比数据表中静态的Coss更准确。时间相关的输出电容值有些公司会用Coss(eff)来表示。
实际工作的电压变化的时候，这个等效的电容值也不会相同。
图2：Coss(tr)测量电路
3、能量相关输出电容Coss(er)
能量相关输出电容Coss(tr)是指偏置电压从0上升至 80%的BVDSS时，在储存的能量相等的条件下，折算成一个等效的固定电容值。
功率MOSFET的Eoss的计算，可以参见下面文章：
使用下面公式就可以得到这个电容值：
IPP60R04C7：Eoss
高压超结功率MOSFET的Coss变化非常大，在硬开关电源结构中，计算Coss在开通过程中放电产生的损耗，使用这个值比数据表中静态的Coss更准确。同样的，实际工作的电压变化的时候，这个等效的电容值也不会相同。
附：其它型号的输出电容测试条件
IRFB4310：BVDSS=100V，静态输出电容的测试电压为50V，时间相关和能量相关的测试电压为0-80V。
STB33N65M2：BVDSS=650V，静态输出电容的测试电压为100V，能量相关的测试电压为0-520V，时间相关电容没有列出。
FCP067N65S3：BVDSS=650V，静态输出电容的测试电压为400V，时间相关和能量相关的测试电压为0-400V。
FCP099N60E：BVDSS=600V，静态输出电容的测试电压为380V，时间相关的测试电压为0-480V。
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