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杜比

  • 基于单片机的电流比任意可调并联电源设计与实现

    开关电源并联系统中往往存在两个并联电源性能参数不同甚至差异较大的情况,因此不能采用传统的并联均流方案来平均分摊电流,这就需要按各个电源模块的输出能力分担输出功率。基于这种灵活性的需要,本设计在采用主从设置法设计并联均流开关电源的基础上新增加了单片机控制模块,实现了分流比可任意调节、各模块电流可实时监控的半智能化并联开关电源系统。实测结果表明,该并联开关电源系统分流比设置误差小于0.5%,具有总过流和单路过流保护功能。

    标签: 单片机 电流 并联 电源设计

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:guojin_0704

  • 光伏电池的自适应占空比扰动MPPT算法研究

    环境温度、光照强度和负载等因素对光伏电池的输出特性影响很大,为了提高光伏电池的工作效率,需要准确快速地跟踪光伏电池的最大功率点。在分析了光伏电池的输出特性的基础上,建立了光伏电池的仿真模型;针对传统爬山法的不足,采用了自适应占空比扰动法对最大功率点进行了跟踪控制。给出了上述两种算法的工作原理及设计过程。仿真结果表明:自适应占空比扰动算法跟踪迅速,减少了系统在最大功率点附近的振荡现象,提高了系统的跟踪速度和精度。

    标签: MPPT 光伏电池 算法研究

    上传时间: 2013-12-03

    上传用户:bakdesec

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:thesk123

  • 基于占空比模糊控制的光伏发电系统MPPT技术

    为了有效地利用太阳能,有必要对光伏发电系统进行最大功率点跟踪(MPPT)控制研究。文中以两级式光伏并网发电系统为研究对象,建立了任意外界环境下的光伏阵列数学模型。由于光伏阵列的非线性输出特性,将模糊控制思想引入最大功率点跟踪,提出占空比模糊控制的扰动观察法的MPPT控制策略,并通过计算机进行仿真验证。与传统的占空比扰动观察法相比较,该方法能够更加快速、准确地跟踪上太阳能电池的最大功率点。

    标签: MPPT 模糊控制 光伏发电系统

    上传时间: 2014-01-07

    上传用户:ls530720646

  • 高电源抑制比带隙基准电路设计

    介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电路设计

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:642778338

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao

  • 开关电源占空比学习实例及全图

    开关电源占空比学习实例及全图

    标签: 开关电源

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:wtrl

  • 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

    摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准电压实现方法.关键词:带隙基准电压源;电源抑制比;温度系数

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:王成林。

  • 分比功率架构和V•I晶片灵活、优越的功率系统方案

    当今电子系统如高端处理器及记忆体,对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战,是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率转换方案,应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。

    标签: 8226 功率架构 功率

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:yan2267246

  • 具有高传输比的“泵式”结构矩阵变换器

    针对目前矩阵变换器电压传输比多数只能达到0.866的问题,进行了深入研究,设计了一种泵式矩阵变换器结构,使电压传输比任意可调,并从机理上解决了矩阵式变换器的传输比低的问题。

    标签: 传输 矩阵变换器

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:hanhanj