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基准电压源

数控基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分,它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压,也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外,基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。
  • 一种发动机高温差环境下的基准电压源电路

    根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法,实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明,该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内,实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃,可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB,可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。

    标签: 发动机 温差 基准电压源 环境

    上传时间: 2014-01-08

    上传用户:ecooo

  • 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

    摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准电压实现方法.关键词:带隙基准电压源;电源抑制比;温度系数

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:王成林。

  • 一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计

    一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计

    标签: 电源抑制

    上传时间: 2021-10-17

    上传用户:kingwide

  • 一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

    一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

    标签: ldo 稳压器 电压源

    上传时间: 2021-10-17

    上传用户:wky20090436

  • 高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页

    高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页

    标签: 电压源

    上传时间: 2021-10-17

    上传用户:zinuoyu

  • 德州仪器基准电压源(VREF)应用设计技巧和诀窍

    日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能,这就需要其“大脑”(硅芯片)在面对现实环境中多种多样情况时,能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时,基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件,专门设计用来维持恒定的输出电压,即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高,它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了,基准电压虽然不是一个新的概念,但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述,包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下,电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性,同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章,讨论了基准电压源的灵活应用,如低漂移直流基准电压和电流源。

    标签: 基准电压源 VREF

    上传时间: 2022-07-10

    上传用户:yui0900826

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:thesk123

  • LDO稳压器高精度电压基准源的分析与设计

    超低漏失线性稳压器的技术关键,是基准源模块的设计,在对双极型LDO稳压器进行分析的基础上,提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。

    标签: LDO 稳压器 电压基准源

    上传时间: 2013-12-07

    上传用户:guojin_0704

  • 电压源型PWM逆变器死区效应补偿策略研究.rar

    电压源型PWM逆变器在当前的工业控制中应用越来越广泛,在其应用领域中,交流电动机的运动控制是其很重要的组成部分。在PWM逆变器的控制过程中,设置死区是为了避免逆变器的同一桥臂的两个功率开关器件发生直通短路。尽管死区时间很短,然而当开关频率很高或输出电压很低时,死区将使逆变器输出电压波形发生很大畸变,进而导致电动机的电流发生畸变,电机附加损耗增加,转矩脉动加大,最终导致系统的控制性能降低,甚至可能导致系统不稳定。为此,需要对逆变器的死区进行补偿。本文针对连续空间矢量调制提出了一种改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法;针对断续空间矢量调制提出了通过改变空间矢量作用时间,来改变驱动信号脉冲宽度的补偿方法,并对这两种方法进行了理论分析和仿真研究。 本文首先详细分析了死区时间对逆变器输出电压和电流的影响,以及功率开关器件寄生电容对输出电压的影响。其次对已提出的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法进行了理论分析,该方法先计算出补偿电压,再对由零电流钳位现象引起的补偿电压极性错误进行校正,极性校正的参考量为d轴补偿电压的幅值,然而补偿电压的大小随电流的变化而变化,因此该方法存在电压极性校正时参考量为变化量的缺点,而且该方法只适用于id=0的控制方式,适用性较差。针对这些问题,本文提出了改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的补偿方法,改进后的方法是先对由零电流钳位现象引起的电流极性错误进行校正,然后再计算补偿电压的大小,电流极性校正时的参考量为三相电流极性函数转化到γ-坐标系的函数sγ的幅值,sγ的幅值与补偿电压大小无关为恒定值,而且适用于任何控制方式,适应性强。再次把改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法应用到PMSM矢量控制系统中,采用MATLAB和Pspice两种方法进行了仿真研究,仿真结果验证了补偿方法的有效性。对两种仿真结果的对比分析,表明PSpice模型能更好的模拟逆变器的非线性特性。 最后,文章分析了连续空间矢量调制和断续空间矢量调制的输出波形的区别和死区对两种波形影响的不同。针对DSP芯片TMS320LF2407A硬件产生的断续SVPWM波,提出了根据电压矢量和电流矢量的相位关系,通过改变空间矢量作用时间,来改变驱动信号脉冲宽度,对其进行死区补偿的方法。给出了基本空间矢量作用时间调整的实现方法,并建立了MATLAB仿真模型,进行仿真研究,仿真结果验证了补偿方法的正确性和有效性。

    标签: PWM 电压源 死区

    上传时间: 2013-06-04

    上传用户:330402686