介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-26
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-07
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在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
上传时间： 2013-10-17
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摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
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电压带隙基准一个在模拟电路中很重的一部分，本文论述了带隙基准的一个高阶补偿方法
上传时间： 2014-01-01
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一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计
上传时间： 2021-10-17
上传用户：wky20090436
高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页
标签： 电压源
上传时间： 2021-10-17
上传用户：zinuoyu
jssc上优秀文章，用CMOS建立的基准电路
标签： 带隙基准
上传时间： 2013-10-20
上传用户：fanboynet
根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明，该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内，实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃，可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB，可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。
上传时间： 2014-01-08
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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